购物车0制造商:ADI/AD
优势和特点
低噪声系数:1.7 dB(典型值,6 GHz至16 GHz时)
高增益:18 dB(典型值,16 GHz至17 GHz时)
针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率:14.5 dBm(典型值,6 GHz至16 GHz时)
单电源电压:3.5 V(典型值,80 mA)
输出三阶交调截点(IP3):25 dBm(典型值)
50 Ω匹配输入/输出
具有自偏置,提供可选偏置控制来降低IDQ
16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP封装
产品详情
HMC903LP3E是一款自偏置、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪声放大器(LNA),提供可选偏置控制来降低IDQ。采用16引脚、3 mm × 3 mm、LFCSP封装。HMC903LP3E放大器的工作频率范围为6 GHz至17 GHz,提供18.5 dB的小信号增益,1.7 dB的噪声系数(在6 GHz至16 GHz频段范围内),25 dBm的输出IP3(全频段6 GHz至17 GHz),采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。
14.5 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC903LP3E还具有隔直输入和输出,内部匹配至50 Ω,因而非常适合高容量微波无线电和视频卫星(VSAT)应用。
应用
点对点无线电
点对多点无线电
军事与太空
测试仪器仪表
HMC582LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC582LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频,并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构,该VCO的相位噪声性能在不同的温度、冲击和工艺条件下均非常出色。
HMC759LP3E是一款7位BiCMOS数字衰减器,采用低成本无引脚SMT封装。 这款多功能数字衰减器采用针对接近直流操作的片外交流接地电容,适合各种RF和IF应用。 控制接口兼容CMOS/TTL
...展,新发布了一款具有54 dB动态量程的毫米波对数检波器HMC948LP3E,其工作带宽为1~23GHz,非常适合于宽带测试测量、点对点微波通信、小型卫星地面站(VSAT)、接收端信号强度显示、宽带功率监控应用等。
深入解析HMC903LP3E:6 GHz - 17 GHz低噪声放大器的卓越性能与应用 在微波通信领域,低噪声放大器(LNA)是至关重要的组件,它能够在放大信号的同时尽可能减少噪声的引入,从而
HMC455LP3 / 455LP3E:1.7 - 2.5 GHz的高性能放大器 在电子工程领域,放大器是不可或缺的关键组件,尤其是在无线通信等高频应用场景中。今天要和大家分享的是HMC455LP3
HMC451LP3(E)是一款高效GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该放大器具有5至18 GHz的工作范围,提供18 dB增益、+21 dBm饱和功率和18% PAE(+5V单电源)。
高速逻辑芯片HMC723LP3E:设计利器深度解析 在高速逻辑电路设计领域,选择一款性能卓越的芯片至关重要。HMC723LP3E作为一款备受关注的D型触发器,以其出色的性能和广泛的应用场景,成为众多
HMC415LP3/415LP3E:4.9 - 5.9 GHz GaAs InGaP HBT MMIC功率放大器的技术剖析 在无线通信不断发展的今天,对于特定频段的功率放大器需求日益增长