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制造商：ADI/AD
优势和特点
低噪声系数：1.7 dB（典型值，6 GHz至16 GHz时）
高增益：18 dB（典型值，16 GHz至17 GHz时）
针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率：14.5 dBm（典型值，6 GHz至16 GHz时）
单电源电压：3.5 V（典型值，80 mA）
输出三阶交调截点(IP3)：25 dBm（典型值）
50 Ω匹配输入/输出
具有自偏置，提供可选偏置控制来降低IDQ
16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP封装
产品详情
HMC903LP3E是一款自偏置、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪声放大器(LNA)，提供可选偏置控制来降低IDQ。采用16引脚、3 mm × 3 mm、LFCSP封装。HMC903LP3E放大器的工作频率范围为6 GHz至17 GHz，提供18.5 dB的小信号增益，1.7 dB的噪声系数（在6 GHz至16 GHz频段范围内），25 dBm的输出IP3（全频段6 GHz至17 GHz），采用3.5 V电源时功耗仅为80 mA。
14.5 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的本振(LO)驱动器。HMC903LP3E还具有隔直输入和输出，内部匹配至50 Ω，因而非常适合高容量微波无线电和视频卫星(VSAT)应用。
应用
点对点无线电
点对多点无线电
军事与太空
测试仪器仪表
HMC582LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC582LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管，可输出半频，并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构，该VCO的相位噪声性能在不同的温度、冲击和工艺条件下均非常出色。
HMC759LP3E是一款7位BiCMOS数字衰减器，采用低成本无引脚SMT封装。 这款多功能数字衰减器采用针对接近直流操作的片外交流接地电容，适合各种RF和IF应用。 控制接口兼容CMOS/TTL
...展，新发布了一款具有54 dB动态量程的毫米波对数检波器HMC948LP3E，其工作带宽为1~23GHz，非常适合于宽带测试测量、点对点微波通信、小型卫星地面站（VSAT）、接收端信号强度显示、宽带功率监控应用等。
HMC451LP3(E)是一款高效GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该放大器具有5至18 GHz的工作范围，提供18 dB增益、+21 dBm饱和功率和18% PAE（+5V单电源）。
Hittite公司推出的HMC902和MC903，HMC902LP3E和HMC903LP3E四款MMIC低噪声放大器，覆盖频率从5到 18GHz，适用于汽车电子、宽带、微波、卫星通信等领域。
及+24 dBm输出IP3。 由于尺寸较小、采用+3V单电源供电和隔直RF I/O，该自偏置LNA非常适合混合和MCM组件应用。 HMC566LP4E采用符合RoHS标准的封装，无需线焊，可以使用高容量表贴制造技术。 HMC566LP4E还提供HMC566芯片形式。
HMC311LP3(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为DC至6 GHz。 此款3x3mm QFN封装放大器可用作级联50 Ohm
HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为24至36 GHz，采用无引脚SMT塑料封装。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工艺制造而成，采用3 V
| HMC-C200 | HMC-SDD112 | HMC686 | HMC389 |
| HMC342-Die | HMC322ALP4E | HMC338-Die | HMC559 |
| HMC746 | HMC902-Die | HMC930A-DIE | HMC460LC5 |
| HMC7282B | her107 | HMC433 | HMC1056 |
| HMC-C073 | HMC7447 | HMC519LC4 | HMC539A |
元器件业务：
0731-85350837
0731-85351037
PCB/SMT/PCBA业务：
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周一至周五（9:00-12:00 13:30-18:30）节假日除外
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