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优势和特点
饱和输出功率： +27.5 dBm（15% PAE），+28 dBm（18% PAE）
高输出IP3： +33 dBm，+39 dBm
高增益： 21.5 dB，27 dB
直流电源： +6 V（350 mA或375 mA时）
50 Ω匹配输入/输出
裸片尺寸： 2.41 × 0.95 × 0.1 mm
24引脚、4 × 4 mm、表贴技术(SMT)封装
产品详情
HMC863器件是三级、GaAs、单芯片微波集成电路(MMIC)、PHEMT ½ W功率放大器，工作频率范围为22 GHz至26.5 GHz或24 GHz至29.5 GHz。 这些放大器提供最高21.5 dB或27 dB增益、+27.5 dBm（15% PAE）或+28 dBm（18% PAE）饱和输出功率，采用+6 V电源供电。 RF输入/输出为隔直型并匹配至50 Ω，以便轻松集成到多芯片模块(MCM)或更高级别的组件中。 所有数据均利用50 Ω测试夹具中的芯片获取，通过长度为0.31 mm (12 mils)、直径0.025 mm (1 mil)的焊线连接。 功率放大器SMT还可采用5 V电源供电，输出功率和IP3仅略微下降。
应用
点对点无线电
点对多点无线电
VSAT
军事与太空
HMC863电路图
HMC863电路图
HMC863电路图
HMC863电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC863LP4ETR | Vishay BC Components | 薄膜电容 Radial | 立即购买 |
| HMC863 | RUBYCON | 贴片铝电解电容 SMD | 立即购买 |
| HMC863LP4E | Infineon | MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220 | 立即购买 |
HMC284AMS8G和HMC284AMS8GE为低成本SPDT开关，采用8引脚基极接地MSOP封装。
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