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优势和特点
高转换增益： 15 dB
出色的边带抑制： -35 dBc
2 LO至RF隔离： 12 dB
高输出IP3： +35 dBm
32引脚5x5mm SMT封装： 25mm²
产品详情
HMC819LC5是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供15 dB小信号转换增益，边带抑制为-35 dBc。 HMC819LC5采用一个驱动器放大器，并在其前面放置一个I/Q混频器，LO由x2有源倍频器驱动。 它提供IF1和IF2混频器输入，通过外部90°混合型器件选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。
HMC819LC5为混合型单边带上变频器组件的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。
应用
点对点和点对多点无线电
军用雷达、EW和ELINT
卫星通信
传感器
HMC819电路图
HMC819电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC819LC5TR-R5 | Ampheno lIndustrial | 立即购买 | |
| HMC819LC5 | KOA | 贴片电阻 0603 34.8Ω ±1% 1/5W ±100ppm/℃ | 立即购买 |
| HMC819LC5TR | SUNTSU | 无源晶振 40Ω 8pF 48MHz ±10ppm -10℃~+60℃ SMD3225_4P | 立即购买 |
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