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制造商：ADI/AD
优势和特点
高输出功率： +17 dBm
低输入功耗驱动： 0至+6 dBm
Fo隔离： >20 dBc（Fout = 19 GHz时）
100 kHz SSB相位噪声： -136 dBc/Hz
单电源： +5V (88mA)
裸片尺寸： 1.2 x 1.23 x 0.1 mm
产品详情
HMC814是一款采用GaAs pHEMT技术的x2有源宽带倍频器芯片。 由+4 dBm信号驱动时，该倍频器在13至24.6 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 在19 GHz频率下，Fo、3Fo和4Fo隔离大于20 dBc。 HMC814非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-136 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。 所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mil)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
应用
时钟生成应用：SONET OC-192和SDH STM-64
点对点和VSAT无线电
测试仪器仪表
军用最终用途
传感器
HMC814-DIE电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC814-SX | - | - | 立即购买 |
| HMC814 | - | - | 立即购买 |
公共车辆是最为普遍的一种城市交通工具，能大力缓解城市交通拥堵，同时对改善城市人居环境、促进城市可持续发展也起着至关重要的作用。
可能你偶尔会听见硬件工程师，或者芯片设计工程师讲述一些专业名词，比如今天说的wafer、die、cell等。
，我们估计需要6000到8000个A100 GPU历时长达一个月才能完成训练任务。”不断提高的HPC和AI计算性能要求正在推动Multi-Die设计的部署，将多个异构或同构裸片集成到一个标准或高级封装中
2D芯片设计中通常为二阶或三阶的效应，在Multi-Die系统中升级为主要效应。
在当今时代，摩尔定律带来的收益正在不断放缓，而Multi-Die系统提供了一种途径，通过在单个封装中集成多个异构裸片（小芯片），能够为计算密集型应用降低功耗并提高性能。
HMC814LC3B是一款使用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+4 dBm信号驱动时，该倍频器在13至24.6 GHz范围内提供+17
探索 HMC814LC3B：高性能 x2 有源频率倍增器的魅力 在电子工程领域，频率倍增器是实现信号频率转换的关键组件。今天，我们将深入探讨 HMC814LC3B 这款 SMT GaAs MMIC
HMC814是一款采用GaAs pHEMT技术的x2有源宽带倍频器芯片。 由+4 dBm信号驱动时，该倍频器在13至24.6 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 在19 GHz频率下
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