购物车0
优势和特点
3 dB LSB步进至45 dB
上电状态选择
低插入损耗: 2.5 dB
TTL/CMOS兼容、串行、并行或锁存并行控制
步长误差:±0.25 dB(典型值)
+3V或+5V单电源
24引脚4x4mm SMT封装: 16mm²
产品详情
HMC629LP4(E)是一款宽带4位GaAs IC数字衰减器,采用低成本无引脚SMT封装。 这款多功能数字衰减器采用针对接近直流操作的片外交流接地电容,适合各种RF和IF应用。
双模控制接口兼容CMOS/TTL,可接受三线式串行输入或4位并行字。 对于衰减范围仅需33 dB的应用,HMC629LP4(E)提供高达10 GHz的出色衰减精度。 HMC629LP4(E)采用符合RoHS标准的4x4 mm QFN无引脚封装,无需外部匹配元件。
应用
蜂窝/3G基础设施
WiBro/WiMAX/4G
微波无线电和VSAT
测试设备和传感器
IF和RF应用

HMC629电路图

HMC629电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC629LP4ETR | Knowles | 贴片电容(MLCC) 1111 4.3pF ±0.25pF 250V C0G(NP0) | 立即购买 |
| HMC629LP4E | Renesas | 立即购买 |
探索HMC591LP5/HMC591LP5E:6.0 - 9.5 GHz GaAs PHEMT MMIC 2瓦功率放大器 在射频和微波工程领域,功率放大器是不可或缺的核心组件。今天,我们就来深入探讨
探索HMC462LP5/HMC462LP5E:2 - 20 GHz宽带低噪声放大器 在电子工程领域,低噪声放大器(LNA)是信号处理系统中至关重要的组件,尤其在对信号质量要求极高的应用场景中。今天
高性能宽频VCO——HMC8364的设计与应用分析 在电子工程领域,频率合成技术一直是通信、雷达、测试测量等众多应用的核心。而压控振荡器(VCO)作为频率合成器的关键组件,其性能直接影响到整个系统
探索HMC454ST89/HMC454ST89E:高性能InGaP HBT放大器的卓越表现 在当今的无线通信和射频领域,对于高性能放大器的需求日益增长。HMC454ST89和HMC454ST89E这
HMC391LP4/HMC391LP4E MMIC VCO:高性价比的射频解决方案 在射频领域,压控振荡器(VCO)是至关重要的组件,它广泛应用于通信、测试设备等众多领域。今天,我们就来详细探讨一下
高速利器:HMC674LC3C/HMC674LP3E 9.3 GHz 锁存比较器深度剖析 在高速电子设计领域,比较器作为关键元件,其性能直接影响着整个系统的速度与精度。今天我们就来深入探讨一款高性能
9.3 GHz 锁存比较器 HMC674LC3C/HMC674LP3E:性能与应用全解析 在电子设计领域,高速、高精度的比较器是实现众多功能的关键组件。今天我们要深入探讨的 HMC
的关键。无锡迪仕科技推出的全极性微功耗霍尔开关DH629,以三大技术优势重新定义了行李箱的智能化标准,推动行业进入第二代技术迭代阶段。 一、技术革新:DH629的核心突破 DH629作为专为移动设备设计的第二代霍尔元件,其技术参数