购物车0
购物车元器件商品{{ gnNumber + hkNumber }}
国内交货{{ gnNumber }}香港交货{{ hkNumber }}
购物车中还没有商品，赶紧选购吧
制造商：ADI/AD
优势和特点
高输出功率： +17 dBm
低输入功耗驱动： 0至+6 dBm
Fo隔离： >25 dBc（Fout = 28 GHz时）
100 kHz SSB相位噪声： -132 dBc/Hz
单电源： +5V (81 mA)
裸片尺寸： 1.18 x 1.23 x 0.1 mm
产品详情
HMC578是一款采用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器芯片。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在24至33 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 在28 GHz频率下，Fo和3Fo隔离分别大于25 dBc和36 dBc。 HMC578非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-132 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。
应用
时钟生成应用：SONET OC-192和SDH STM-64
点对点和VSAT无线电
测试仪器仪表
军事电子战/雷达
太空
HMC578-DIE电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC578-SX | - | - | 立即购买 |
| HMC578 | - | - | 立即购买 |
HMC490是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，工作频率范围为12至17 GHz。采用+5V电源时，HMC490提供27 dB增益、2 dB噪声系数和35 dBm输出IP3
HMC578LC3B是一款使用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在24至33 GHz范围内提供+15 dBm的典型输出功率。 在28 GHz频率下，Fo和3Fo隔离分别大于20 dBc和30 dBc。
HMC578是一款采用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器芯片。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在24至33 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 在28 GHz频率下，Fo
AMD不久前刚刚发布了代号Rome（罗马）第二代EPYC霄龙处理器，拥有7nm工艺和Zen 2架构，而且采用了chiplet小芯片设计，集成最多八个CPU Die和一个IO Die设计非常独特。
晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。
DAF胶膜，全称芯片粘接薄膜（Die Attach Film），又称固晶膜或晶片黏结薄膜，是半导体封装中的关键材料，用于实现芯片（Die）与基板（Substrate）或框架（Lead Frame）之间的高性能、高可靠性连接。这种连接直接决定了器件的机械强度、导热性能和长期可靠性。
DDR4的单、双DIE兼容仿真案例
简单来说，Die（发音为/daɪ/，中文常称为裸片、裸晶、晶粒或晶片）是指从一整片圆形硅晶圆（Wafer）上，通过精密切割（Dicing）工艺分离下来的、单个含有完整集成电路（IC）功能的小方块。
| HMC735 | HMC1126 | HMC582 | HMC1087F10 |
| HMC783 | HMC699 | HMC785 | HMC566-Die |
| HMC499LC4 | HMC442-Die | HMC765 | HMC-C079 |
| HMC329A-Die | HMC-C033 | HMC599 | HMC747 |
| HMC3587 | HMC453ST89 | HMC-C021 | HMC448-Die |
上传BOM
工商网监