购物车0
购物车元器件商品{{ gnNumber + hkNumber }}
国内交货{{ gnNumber }}香港交货{{ hkNumber }}
购物车中还没有商品，赶紧选购吧
优势和特点
宽中频(IF)带宽： DC至3.5 GHz
镜像抑制： 40 dB
本振(LO)至射频(RF)隔离： 50 dB
高输入IP3： 28 dBm
裸片尺寸(HMC526)： 1.49 mm × 1.14 mm × 0.1 mm
符合RoHS标准的4 mm × 4 mm SMT封装(HMC526LC4)
产品详情
HMC526器件为紧凑型I/Q MMIC混频器，采用芯片(HMC526)或符合RoHS标准的无引脚无铅SMT封装(HMC526LC4)，二者均可用作IRM或单边带(SSB)上变频器。 这些混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造。 低频正交混合器件用于产生100 MHz USB IF输出。 这些产品为混合型IRM和SSB上变频器组件的更小型替代器件。 所有HMC526数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的芯片获取，且包括每个端口直径为1 mil、长度为20 mil的焊线效应。 HMC526LC4无需线焊，可以使用表贴制造技术。
应用
点对点无线电
点对多点无线电
甚小孔径终端(VSAT)
测试设备和传感器
军用最终用途
HMC526电路图
HMC526电路图
HMC526电路图
HMC526电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC526LC4TR-R5 | Omron Electronics Inc-EMC Div | 立即购买 | |
| HMC526LC4 | Resistor.Today | 贴片电阻 2010 | 立即购买 |
| HMC526 | Uniohm | 贴片电阻 1210 54.9Ω ±1% 1/2W ±100ppm/℃ | 立即购买 |
| TKD | 无源晶振 SMD2520_4P | 立即购买 |
HMC381LP6 / HMC381LP6E：高性能双下变频器的深度解析 在无线通信领域，高性能的下变频器对于信号处理至关重要。今天我们来详细探讨 HMC381LP6 / HMC381LP6E 这款
探索 HMC376LP3/HMC376LP3E：700 - 1000 MHz 的低噪声放大器卓越之选 在无线通信系统中，低噪声放大器（LNA）就像是一位忠诚的信号守护者，它负责在信号接收的最初
探索HMC374/HMC374E低噪声放大器：高性能与紧凑设计的完美结合 在射频前端设计领域，低噪声放大器（LNA）至关重要，它能有效放大微弱信号，同时限制噪声的引入，对整个系统的性能影响极大。今天
探索HMC591LP5/HMC591LP5E：6.0 - 9.5 GHz GaAs PHEMT MMIC 2瓦功率放大器 在射频和微波工程领域，功率放大器是不可或缺的核心组件。今天，我们就来深入探讨
探索HMC462LP5/HMC462LP5E：2 - 20 GHz宽带低噪声放大器 在电子工程领域，低噪声放大器（LNA）是信号处理系统中至关重要的组件，尤其在对信号质量要求极高的应用场景中。今天
探索HMC454ST89/HMC454ST89E：高性能InGaP HBT放大器的卓越表现 在当今的无线通信和射频领域，对于高性能放大器的需求日益增长。HMC454ST89和HMC454ST89E这
HMC742ALP5E是一款数字控制可变增益放大器，工作频率范围为70 MHz至4 GHz，可通过编程提供-19.5 dB衰减至12 dB增益，步进为0.5 dB。 HMC742A在最大增益状态下的噪声系数为4 dB，任意状态下的输出IP3最高为+39 dBm。
HMC415LP3和HMC415LP3E是工作在4.9和5.9 GHz之间的高效GaAs InGaP异质结双极晶体管（HBT）MMIC功率放大器。
上传BOM
工商网监