购物车0制造商:ADI/AD
优势和特点
高隔离度: 62 dB(1 GHz时)52 dB(2 GHz时)
正控制: 0/+5V
输入IP3: 54 dBm
非反射式设计
超小型MSOP-86封装:
14.8 mm2
产品详情
HMC435AMS8G(E)是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT开关,采用低成本8引脚MSOP8G表面贴装封装,带有裸露接地焊盘。 该开关非常适合蜂窝/3G和WiMAX/4G应用,实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+50 dBm的输入IP3。 在3.8 GHz WiMAX频段,该开关具有很高的功率处理能力,另外提供+30 dBm的P1dB压缩性能。 片内电路可在很低的DC电流下实现0/+5伏特的正电压控制。
应用
基站和中继器
蜂窝/3G和WiMAX/4G
基础设施和接入点
CATV/CMTS
测试仪器仪表
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC435AMS8GETR | - | - | 立即购买 |
| HMC435AMS8GE | - | - | 立即购买 |
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