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制造商：ADI/AD
优势和特点
非反射式50 Ω设计
高隔离度：57 dB至2 GHz
低插入损耗：0.9 dB至2 GHz
高输入线性度
1 dB功率压缩(P1dB)：34 dBm（典型值）
三阶交调截点(IP3)：52 dBm（典型值）
高功率处理
33.5 dBm（通过路径）
26.5 dBm端接路径 单正电源：3 V至5 V
CMOS/TTL兼容控制
全部关断状态控制
带exposed pad的8引脚超小型封装(MINI_SO_EP)
产品详情
HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关，额定频率范围为100 MHz至 4 GHz。
HMC349AMS8G非常适合蜂窝基础设施应用，可实现57 dB高隔离、0.9 dB低插入损耗、52 dBm高输入IP3和34 dBm高输入P1dB。
HMC349AMS8G采用3 V至5 V单正电源供电，提供CMOS/TTL兼容控制接口。HMC349AMS8G采用带exposed pad的8引脚超小型封装。
应用
蜂窝/4G基础设施
无线基础设施
移动无线电
测试设备
HMC349AMS8G电路图
HMC349AMS8G 引脚图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC349AMS8GTR | - | - | 立即购买 |
| HMC349AMS8GETR | - | - | 立即购买 |
| HMC349AMS8GE | - | - | 立即购买 |
| HMC349AMS8G | - | - | 立即购买 |
景 HMC574AMS8E具有广泛的应用场景，适用于多个领域： 蜂窝/3G基础设施 ：在基站等设备中，它能确保信号的高效传输和接收。 专用移动无线电手持设备 ：为设备提供稳定的信号切换功能。 W
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