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优势和特点
噪声系数: 3.5 dB
增益: 20 dB
单电源: +3V (36 mA)
小尺寸: 1.06 x 2.02 mm
产品详情
HMC342芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为13至25 GHz。 由于尺寸较小(2.14 mm²),该芯片可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 该芯片采用GaAs PHEMT工艺制造而成,采用3 V (41 mA)单个偏置电源时提供20 dB增益,噪声系数为3.5 dB。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。
应用
微波点对点无线电
毫米波点对点无线电
VSAT 和 SATCOM
简介 半导体行业面临的一个主要挑战是无法在量产阶段早期发现产品缺陷。如果将有缺陷的产品投放市场,将会给企业带来巨大的经济和声誉损失。对超大规模数据中心、网络和 AI 应用的高性能计算片上系统 (SoC) 的设计开发者...
是什么推动了Multi-Die系统的发展?由于AI、超大规模数据中心、自动驾驶汽车等应用的高速发展,单片片上系统(SoC)已经不足以满足人们对芯片的需求了。Multi-Die系统是在单个封装中集
作为半导体制造的后工序,封装工艺包含背面研磨(Back Grinding)、划片(Dicing)、芯片键合(Die Bonding)、引线键合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步骤。
的。在达摩克利斯之剑的威胁下,爱普生(EPSON)以M-A342和M-A342VD10为核心,推出M-A342系列三轴振动传感器以优化数据监测。
DAF胶膜,全称芯片粘接薄膜(Die Attach Film),又称固晶膜或晶片黏结薄膜,是半导体封装中的关键材料,用于实现芯片(Die)与基板(Substrate)或框架(Lead Frame)之间的高性能、高可靠性连接。这种连接直接决定了器件的机械强度、导热性能和长期可靠性。
Multi-Die设计是一种在单个封装中集成多个异构或同构裸片的方法,虽然这种方法日益流行,有助于解决与芯片制造和良率相关的问题,但也带来了一系列亟待攻克的复杂性和变数。尤其是,开发者必须努力确保
随着物理极限开始制约摩尔定律的发展,加之人工智能不断突破技术边界,计算需求和处理能力要求呈现爆发式增长。为了赋能生成式人工智能应用,现代数据中心不得不采用Multi-Die设计,而这又带来了许多技术要求,包括高带宽和低功耗Die-to-Die连接。
使用 S7-1200 与 S7-300 用 CP342-5 进行主从通信,这里S7-1200 的 CM1243-5 做为主站,将 CP342-5 做从站。
| HMC-ALH102 | HMC-APH608 | HMC389 | HV9910B |
| HMC-C032 | HV9912 | HMC573 | HMC252 |
| HMC785 | HMC347ALP3E | HMC-MDB218 | HMC764 |
| HMC-C074 | HMC-VVD106 | HMC571-Die | HMC682 |
| HMC190B | HMC634-Die | HMC263LP4E | HMC-VVD102 |