HMC311LP3

制造商：ADI/AD

产品信息

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• HMC455LP3功率放大器

  HMC455LP3(E)是一款高输出的IP3 GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1⁄2瓦特MMIC放大器，在1.7至2.5 GHz的频率下工作。 该放大器仅使用最小数量的外部元件，提供13 dB的增益，在PAE为56%时提供+28 dBm的饱和功率，使用单个+5 Vdc电压电源。...

  2022-04-20
• HMC566LP4E低噪声放大器，采用SMT封装，28-36GHz技术手册

  及+24 dBm输出IP3。 由于尺寸较小、采用+3V单电源供电和隔直RF I/O，该自偏置LNA非常适合混合和MCM组件应用。 HMC566LP4E采用符合RoHS标准的封装，无需线焊，可以使用高容量表贴制造技术。 HMC566LP4E还提供HMC566芯片形式。

  2025-03-20
• HMC376 0.7-1.0GHz低噪声放大器SMT技术手册

  HMC376LP3和HMC376LP3E为GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器，非常适合GSM和CDMA蜂窝基站前端接收机，工作频率范围为700至1000 MHz。 该放大器经过优化，在+5V

  2025-03-20
• HMC311ST89 InGaP HBT增益模块放大器技术手册

  Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16.5 dBm的HMC混频器LO。 HMC311ST89(E)提供16 dB的增益，+31.5 dBm的输出IP3，同时仅需+5V电源提供54 mA电流。 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度，提供出色的温度增益稳定性，只需极少的外部偏置元件。

  2025-03-19
• 高效GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器——HMC451LP3(E)

  HMC451LP3(E)是一款高效GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该放大器具有5至18 GHz的工作范围，提供18 dB增益、+21 dBm饱和功率和18% PAE（+5V单电源）。

  2023-04-14
• HMC311SC70 InGaP HBT增益模块放大器技术手册

  Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+15 dBm的HMC混频器LO端口。 HMC311SC70(E)提供15 dB的增益，+30 dBm的输出IP3，同时仅需+5V电源提供54 mA电流。 达林顿拓扑结构可降低对正常工艺变化的敏感度，提供出色的温度增益稳定性，只需极少的外部偏置元件。

  2025-03-19
• HMC311LP3 InGaP HBT增益模块MMIC放大器技术手册

  HMC311LP3(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC SMT放大器，工作频率范围为DC至6 GHz。 此款3x3mm QFN封装放大器可用作级联50 Ohm

  2025-03-19
• HMC263LP4E低噪声放大器，采用SMT封装，24-36GHz技术手册

  HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为24至36 GHz，采用无引脚SMT塑料封装。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工艺制造而成，采用3 V

  2025-03-19

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