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制造商：ADI/AD
优势和特点
集成LO放大器： -4 dBm输入
次谐波(x2) LO
集成IF放大器： 增益：3 dB
小尺寸： 1.32 x 1.32 x 0.1 mm
产品详情
HMC265芯片是一款集成LO和IF放大器的次谐波(x2) MMIC下变频器。 该芯片利用GaAs PHEMT技术，芯片整体面积为1.74 mm²。 2LO至RF隔离性能出色，无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置（+3V至+4V）双级设计，仅需-4 dBm的标称驱动。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.025 mm (1 mil)、最小长度<0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。 此下变频器IC对基于混合型二极管的下变频器MMIC组件是更小、更可靠的极佳替代品。
应用
微波点对点无线电
LMDS
SATCOM
HMC265-DIE电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC265 | - | - | 立即购买 |
| HMC265-SX | - | - | 立即购买 |
新思科技IP营销和战略高级副总裁John Koeter表示：裸片拆分和分解的趋势下，需要超短和特短距离链接，以实现裸晶芯片之间的高数据速率连接。
H.265 HEVC FPGA ASIC 硬编码 zobovision
Multi-Die设计是一种在单个封装中集成多个异构或同构裸片的方法，虽然这种方法日益流行，有助于解决与芯片制造和良率相关的问题，但也带来了一系列亟待攻克的复杂性和变数。尤其是，开发者必须努力确保
随着物理极限开始制约摩尔定律的发展，加之人工智能不断突破技术边界，计算需求和处理能力要求呈现爆发式增长。为了赋能生成式人工智能应用，现代数据中心不得不采用Multi-Die设计，而这又带来了许多技术要求，包括高带宽和低功耗Die-to-Die连接。
可能你偶尔会听见硬件工程师，或者芯片设计工程师讲述一些专业名词，比如今天说的wafer、die、cell等。
2D芯片设计中通常为二阶或三阶的效应，在Multi-Die系统中升级为主要效应。
在当今时代，摩尔定律带来的收益正在不断放缓，而Multi-Die系统提供了一种途径，通过在单个封装中集成多个异构裸片（小芯片），能够为计算密集型应用降低功耗并提高性能。
MOSAID Technologies今天宣布，他们已经试产了全球第一颗采用惊人十六die封装的 NAND闪存芯片，让他们和谐地运行在了一个高性能通道内。
| HMC701 | HMC7545 | HMC510 | HMC451LC3 |
| HMC451LP3 | HMC430 | HMC911 | HMC-C034 |
| HMC7054 | HMC939 | HMC8410 | HMC1127 |
| HMC866 | HMC-C074 | HMC1035 | HMC-APH460 |
| HMC799 | HMC628 | HMC830 | HMC-XTB110 |
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