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制造商：ADI/AD
优势和特点
无源双平衡拓扑结构
LO至RF高隔离： 30 dB
低转换损耗： 8 dB
宽IF带宽： DC - 5 GHz
裸片尺寸： 0.9 x 1.0 x 0.1 mm
产品详情
HMC-MDB169是一款无源双平衡MMIC混频器，采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术，可用作上变频器或下变频器。 这款紧凑型混频器具有宽IF带宽、低转换损耗、LO至RF和LO至IF的高隔离性能。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。
HMC-MDB169双平衡混频器可兼容常规的芯片贴装方法，以及热压缩和热超声线焊，非常适合MCM和混合微电路应用。 这款紧凑型MMIC可以取代混合型双平衡式混频器，而且体积要小得多，性能更加稳定。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ohm环境下使用RF探头接触测得。
应用
短程/高容量无线电
点对多点设备
军用雷达、ECM和EW
卫星通信
HMC-MDB169电路图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| HMC-MDB169-SX | - | - | 立即购买 |
| HMC-MDB169 | - | - | 立即购买 |
HMC-MDB277是一款无源双平衡MMIC混频器，采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术，可用作上变频器或下变频器。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化，Shottky器件已完全钝化以实现可靠操作。
HMC-MDB218是一款次谐波(x2)MMIC混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用，外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。
HMC-MDB172是一款单芯片I/Q混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频应用，外部正交混合器件可用于选择所需边带同时抑制图像信号。
HMC-MDB171是一款单芯片I/Q混频器，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 此款无源MMIC混频器采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术制造。 针对下变频
HMC-MDB169是一款无源双平衡MMIC混频器，采用GaAs异质结双极性晶体管(HBT)肖特基二极管技术，可用作上变频器或下变频器。 这款紧凑型混频器具有宽IF带宽、低转换损耗、LO至RF和LO
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| HMC722LP3E | HMC438 | HMC409 | HMC-C034 |
| HMC441LC3B | HMC-MDB172 | HMC424AG16 | HMC914 |
| HMC-C058 | HMC429 | HMC7282B | HMC-C029 |
| HV2902 | HMC221B | HMC232A | HMC-C001 |
| HMC1114 | HMC814-Die | HMC385 | HV861 |
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