HMC-C027

制造商：ADI/AD

产品信息

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• 磁力计HMC5883L传感器特性

  霍尼韦尔 HMC5883L 是一种表面贴装的高集成模块，并带有数字接口的弱磁传感器芯片，应用于低成本罗盘和磁场检测领域（指南针、GPS）。 HMC5883L 包括最先进的高分辨率 HMC

  2023-07-20
• 鸿翼芯智能高边HEHSS027D，可Pin to Pin替代IFX BTS7080-2

  HEHSS027D 产品参数 工作电压：4~28V 工作温度：-40℃~125℃ 典型Rds（on）值：27 mΩ（IOUT = 3 A; Tj = 25°C） 额定负载能力：5.1A（单通道

  2025-05-22
• 采用砷化镓(GaAs)工艺制造的HMC232A

  HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。

  2023-02-01
• HMC-C046 I/Q混频器模块技术手册

  HMC-C046是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。

  2025-04-04
• HMC-C044 I/Q混频器/IRM模块技术手册

  HMC-C044是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。

  2025-04-04
• HMC-C042 I/Q混频器/IRM模块技术手册

  HMC-C042是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。

  2025-04-04
• HMC-C041 I/Q混频器/IRM模块技术手册

  HMC-C041是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。

  2025-04-04
• HMC-C032 x2有源倍频器模块技术手册

  HMC-C032是一款x2有源宽带倍频器，采用GaAs PHEMT技术，封装在微型密封模块中。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在18至29 GHz范围内提供+16 dBm的典型输出功率。 在24

  2025-04-03

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