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    首页产品索引FQB34P10TM_F085

    FQB34P10TM_F085

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     -100 V、-33.5 A、60 mΩ、D2PAK P 沟道 QFET®

    制造商：ON

    中文数据手册

    FQB34P10TM_F085datasheet.pdf

    产品信息

    这些P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。
    • -33.5 A、-100 V、R
    • = 0.06Ω (V
    • = -10 V)
    • 低栅极电荷（典型值85 nC）
    • 低Crss（典型值170pF）
    • 快速开关
    • 100% 经过雪崩击穿测试
    • 提高了 dv/dt 性能
    • 175°C最大结温额定值
    • 符合 AEC Q101 标准
    • 符合 RoHS 标准

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    型号制造商描述购买
    FQB34P10TM-TF085-- 立即购买
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    技术资料

    标题类型大小（KB）下载
    D2PAK-3 (TO-263, 3-LEAD)PDF58 点击下载
    100V P-Channel MOSFETPDF748 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

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    FDLL4148FSL337LRFODM1008FOD053L
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