FGD3N60UNDF

制造商：ON

产品信息

在线购买

技术资料

应用案例更多案例

• FHA60T65A型号户外储能电源IGBT介绍

  好IGBT选FHA60T65A型号，代换FGH60N60SMD型号参数的IGBT也是选FHA60T65A型号。

  2023-04-20
• 华为实现“1+3+N”战略全面布局

  近日，华为举办发布会正式发布了好望云服务，实现了“1+3+N”战略的全面布局，“1”即软件定义摄像机；“3”即轻边缘、微边缘、好望云服务；“N”即智能算法、智能应用等软硬件生态。通过“1+3+N”战略，华为机器视觉可以同时满足各类用户对机器视觉的需求。

  2021-03-08
• MTA25N02J3替换型号DD016NG，P TO P兼容MTA25N02J3，应用于电机驱动

  MTA25N02J3替换型号DD016NG，P TO P兼容MTA25N02J3，应用于电机驱动

  2023-03-23
• 台积电官宣3nm正式量产，五年产出1.5万亿美元

  台积电声称，基于3nm的N3工艺将实现60%至70%的逻辑密度提升，15%的性能提升，同时比5nm的N5功耗降低30%至35%，并支持新的FINFLEX架构。

  2023-01-03
• 新思科技获得台积公司的N3E和N4P工艺认证

  新思科技数字和定制设计流程获得台积公司的N3E和N4P工艺认证，并已推出面向该工艺的广泛IP核组合。

  2022-07-12
• 60V/20A N沟道MOS管 TO-252 SLD20N06T

  深圳市芯晶图电子技术有限公司供应60V/20AN沟道MOS管TO-252SLD20N06T，原装，库存现货热销SLD20N06T：60V20ATO-252N沟道MOS场效应管品牌：美浦森

  2022-05-06
• 楷登电子数字和模拟流程获TSMC N3和N4工艺技术认证

  Cadence 和 TSMC 联手进行 N3 和 N4 工艺技术合作， 加速赋能移动、人工智能和超大规模计算创新 双方共同客户现可广泛使用已经认证的 N3 和 N4 流程 PDK 进行设计 完整

  2021-10-26
• N沟道场效应管HC3400M产品资料

  型号:HC3400M 参数：30V 5.8A  类型：N沟道场效应管 内阻27mR(Vgs=10V) 低结电容635pF  封装：SOT23-3 低开启电压0.7V 100V大电流系列：2N

  2021-09-27

系列产品索引查看所有产品