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    FGA50S110P

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     1100 V, 50 A,短路阳极 IGBT

    制造商:ON

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    产品信息

    飞兆半导体的短路阳极沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道和短路阳极技术,为开关应用提供出色的导通和开关性能。该器件为电磁炉和微波炉量身定制。
    • 内置反并联二极管,用于软开关应用
    • 大开关频率范围:10 kHz 至 50 kHz
    • 高温稳定性能(T
    • = 175℃)
    • 低饱和压降:V
    • = 2.06 V,需 I
    • = 50 A
    • 鲁棒性锅炉检测噪声抗扰度
    • 符合 RoHS 标准(无铅引脚电镀)

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    TO-3P-3LD / EIAJ SC-65, ISOLATEDPDF57 点击下载
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