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    FGA30N120FTD

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     1200V,30A,场截止沟道IGBT

    制造商:ON

    产品信息

    飞兆半导体的 1200V 沟道 IGBT 系列采用先进的场截止沟道技术,为软开关应用提供卓越的导通和开关性能。该器件可并行配置极好的雪崩耐用性。该器件为感应加热和微波炉而设计。
    • 场截止沟道技术
    • 高速开关
    • 低饱和电压:V
    • = 1.6V @ I
    • = 30A
    • 高输入阻抗

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    TO-3P-3LD / EIAJ SC-65, ISOLATEDPDF57 点击下载
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