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制造商：ON
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGA15N120ANTDTU-F109 | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| TO-3P-3LD / EIAJ SC-65, ISOLATED | 57 | 点击下载 | |
| 1200 V, 15 A NPT Trench IGBT | 901 | 点击下载 |
许继电气的WGB-100N系列保护装置分七大系列，分别是：WGB-110N系列微机线路保护装置、WGB-120N系列微机高压柜综合保护装置、WGB-130N系列微机厂用变保护装置、WGB-140N
毕竟对于全国三大运营商近16亿的用户总量来讲，这区区8623万的5G新机销售额完全不值一提，难道这5G换机潮要黄了？其实要说的这不换5G手机的理由可以是千千万万，但总结起来无外乎三种：没需求，没动心，没有钱。
STMicroelectronics STL120N10F8100V N沟道增强模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。它确保极低的导通电
仁懋电子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源
型号:HC085N10L 参数：100V 15A 类型：N沟道场效应管 内阻71mR 低结电容436pF 封装：贴片（SOT89-3） 低开启电压1.7V 广泛用于电动车照明、汽车照明、汽车大灯、工作灯、铲车灯、安定器、太阳能照明、太阳能控制器、蓝牙音箱、RGB...
中科微电ZK60N120G是一款专为中大功率场景设计的N 沟道增强型功率MOS管，其型号编码精准勾勒出核心性能边界：“60” 代表60A连续漏极电流（ID），可稳定承载电机、电源等重型负载的持续电流
HKTD120N04是一款采用PDFN5×6封装的N沟道增强型MOSFET，具有40V耐压能力和120A连续电流承载能力。这款工业级产品的核心优势在于其一点7mΩ的极低导通电阻和超高电流密度，能够以
Microchip公司将讲述：极端低功耗16位单片机-PIC24FGA3系列。
| FOD817B | FPF2104 | FAN4800CU | FAN105B |
| FAB3103 | FODM452 | FGB3040CS_F085 | FGH40N65UF_F085 |
| FSV330AF | FFSH20120A | FSB50550B | FDMF3170 |
| FLS2100XS | FPF2194 | FSBB20CH60C | FAN5602 |
| FAN41501 | FSBB15CH60D | FSA644 | FGH75T65SQDT |
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