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制造商：ON
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGA15N120ANTDTU-F109 | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| TO-3P-3LD / EIAJ SC-65, ISOLATED | 57 | 点击下载 | |
| 1200 V, 15 A NPT Trench IGBT | 901 | 点击下载 |
毕竟对于全国三大运营商近16亿的用户总量来讲，这区区8623万的5G新机销售额完全不值一提，难道这5G换机潮要黄了？其实要说的这不换5G手机的理由可以是千千万万，但总结起来无外乎三种：没需求，没动心，没有钱。
型号:HC085N10L 参数：100V 15A 类型：N沟道场效应管 内阻71mR 低结电容436pF 封装：贴片（SOT89-3） 低开启电压1.7V 广泛用于电动车照明、汽车照明、汽车大灯、工作灯、铲车灯、安定器、太阳能照明、太阳能控制器、蓝牙音箱、RGB...
Microchip公司将讲述：极端低功耗16位单片机-PIC24FGA3系列。
在一些音频功率放大器中，我们经常会看到SAP15N/SAP15P功率对管的身影。虽然它们与一般大功率三极管
新的“Supreme +”e-MMC（JEDEC版本5.1）与原来的NAND闪存解决方案相比，e-MMC和UFS将NAND闪存和控制器芯片集成在单个封装中。这样的设计不仅节省了空间，而且还减轻了主处理器的存储管理负担，包括坏块管理，错误校正，损耗均衡...
甲类晶体管功率放大器，音色温暖甜美，使人倾心。但甲类功放温升较高，如采用普通的双极性
三星不仅是智能手机市场的老大，更重要的是三星还掌握了产业链至关重要的DRAM内存、NAND闪存及OLED屏幕，这三大部件上三星遥遥领先其他对手，手机OLED面板上更是占据95%以上的份额。
X60003x-50 FGATM电压基准是非常高精度的模拟电压基准，它采用intersil专有的浮动栅技术，和常规的带隙，嵌入齐纳或XFETTM技术相比，具有更优越的性能。FGATM电压基准
| FUSB302B | FJN3302R | FGH60N60SMD | FPF2116 |
| FLS1700XS | FMS6143A | FSA2380 | FSQ321 |
| FDMF6820B | FPF1203L | FSBB10CH120D | FSL137H |
| FCP125N65S3 | FPF2002 | FAN3241 | FAN73832 |
| FAN256 | FSA321 | FAN8841 | FSCQ0965RT |
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