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制造商：ON
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FGA15N120ANTDTU-F109 | - | - | 立即购买 |
| 标题 | 类型 | 大小（KB） | 下载 |
|---|---|---|---|
| TO-3P-3LD / EIAJ SC-65, ISOLATED | 57 | 点击下载 | |
| 1200 V, 15 A NPT Trench IGBT | 901 | 点击下载 |
许继电气的WGB-100N系列保护装置分七大系列，分别是：WGB-110N系列微机线路保护装置、WGB-120N系列微机高压柜综合保护装置、WGB-130N系列微机厂用变保护装置、WGB-140N
毕竟对于全国三大运营商近16亿的用户总量来讲，这区区8623万的5G新机销售额完全不值一提，难道这5G换机潮要黄了？其实要说的这不换5G手机的理由可以是千千万万，但总结起来无外乎三种：没需求，没动心，没有钱。
STMicroelectronics STL120N10F8100V N沟道增强模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。它确保极低的导通电
仁懋电子（MOT）推出的MOT15N50F是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED电源
型号:HC085N10L 参数：100V 15A 类型：N沟道场效应管 内阻71mR 低结电容436pF 封装：贴片（SOT89-3） 低开启电压1.7V 广泛用于电动车照明、汽车照明、汽车大灯、工作灯、铲车灯、安定器、太阳能照明、太阳能控制器、蓝牙音箱、RGB...
中科微电ZK60N120G是一款专为中大功率场景设计的N 沟道增强型功率MOS管，其型号编码精准勾勒出核心性能边界：“60” 代表60A连续漏极电流（ID），可稳定承载电机、电源等重型负载的持续电流
Microchip公司将讲述：极端低功耗16位单片机-PIC24FGA3系列。
陆芯科技正式推出1200V15A GEN3 IGBT单管，产品型号为YGW15N120TMA1。产品采用LUXIN FS-Trench GEN3平台，PitchSize 1.6um，TO247封装。
| FSB52006S | FL7734 | FOD8163 | FSEZ1317A |
| FDMF6706C | FODM217A | FSB117H | FDMF6833C |
| FAN73711 | FL7930C | FOD4116 | FAN3122C |
| FSQ0165RN | FAN7085_GF085 | FOD8342 | FDH444 |
| FAN23SV06AMPX | FSB50760SFS | FAN3121C_F085 | FOD3180 |
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