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    FDG6321C

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     双N&P沟道数字FET

    制造商:ON

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    产品信息

    双N&P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计,以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。 由于不需要偏压电阻,该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。
    • N沟道 0.50 A、25 V、R
    • = 0.45 Ω @ V
    • = 4.5 V、 R
    • = 0.60 Ω @ V
    • = 2.7 V。
    • P沟道 -0.41 A、-25 V、 R
    • = 1.1 Ω @ V
    • = -4.5 V、R
    • = 1.5 Ω @ V
    • = -2.7 V。
    • 超小封装外形SC70-6。
    • 极低的栅极驱动要求允许3V电路的直接运行(V
    • < 1.5 V)。
    • 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力(>6kV人体模型)。

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    FDG6321C-F169-- 立即购买
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    技术资料

    标题类型大小(KB)下载
    SC-88 (SC-70 6 Lead), 1.25x2PDF58 点击下载
    Dual N & P Channel Digital FETPDF241 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

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