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    FDG6304P

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     双P沟道数字FET

    制造商:ON

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    产品信息

    这些P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计,以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。
    • -25 V、-0.41 A(连续值)、-1.5 A(峰值)。
    • R
    • = 1.1 Ω @ V
    • = 4.5 V,
    • R
    • = 1.5 Ω @ V
    • = -2.7 V。
    • 电平栅极驱动要求极低,从而可在3V电路中直接运行(V
    • < 1.5 V)。
    • 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力(>6kV人体模型)。
    • 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。

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    FDG6304P-F169-- 立即购买
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    技术资料

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    Dual P-Channel, Digital FETPDF455 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

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