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    FDG6303N

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     双N沟道数字FET

    制造商:ON

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    产品信息

    这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计,以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。
    • 25V、0.50A(连续值)、1.5A(峰值)。
    • R
    • = 0.45 Ω @ V
    • = 4.5 V,
    • R
    • = 0.60 Ω @ V
    • = 2.7 V。
    • 电平栅极驱动要求极低,从而可在3V电路中直接运行(V
    • < 1.5 V)。
    • 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力(>6kV人体模型)。
    • 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。

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    FDG6303N-F169-- 立即购买
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    技术资料

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    Dual N-Channel, Digital FETPDF493 点击下载
    Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
    Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
    Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
    Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
    Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
    MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

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