联系客服

元器件业务:

0731-85350837

0731-85351037

PCB/SMT/PCBA业务:

0755-83688678

在线客服

  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 7

购物车0

元器件商品0

国内交货0香港交货0
型号 品牌 单价 数量 小计 操作
华秋自营
合作库存 ( 订单含第三方合作库存商品,下单前请与客户经理确认价格和交期 )
海外代购 ( 订单含海外代购商品,下单前请与客户经理确认价格和交期 )
  • 已选中0个商品 总价(不含运费): ¥0
    商品原价:¥0 活动优惠:-¥0.00
  • 去结算
型号 品牌 单价 数量 小计 操作
  • 已选0个型号
  • 合计(不含运费):$ 0
  • 去结算
购物车中还没有商品,赶紧选购吧
首页产品索引FDC6392S

FDC6392S

购买收藏
 -20V集成式P沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管

制造商:ON

中文数据手册

产品信息

FDC6392S将飞兆PowerTrench MOSFET技术所具有的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在SSOT-6封装中。 此器件专门设计为DC至DC转换器的单封装解决方案。 它具有带极低通态电阻的快速开关、低栅极电荷MOSFET。 独立连接的肖特基二极管允许其在大量DC/DC转换器拓扑下使用。
  • MOSFET:
  • -2.2A, -20V
  • R
  • = 150 mΩ @ V
  • = -4.5V
  • R
  • = 200 mΩ @ V
  • = -2.5V
  • 低栅极电荷(3.7nC典型值)
  • 紧凑的工业标准SuperSOT™-6封装
  • 肖特基:
  • V
  • < 0.45 V @ 1 A

在线购买

型号制造商描述购买
FDC6392S-- 立即购买

技术资料

标题类型大小(KB)下载
TSOT23, 6-Lead, 2.9x1.6PDF59 点击下载
FDC6392S-D.pdfPDF309 点击下载
Using Fairchild Semiconductor Dual Cool™ MOSFETsPDF501 点击下载
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-6 Power MOSFETsPDF319 点击下载
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet ExplanationPDF1588 点击下载
Analysis of MOSFET Failure Modes in LLC Resonant ConverterPDF1707 点击下载
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETsPDF2048 点击下载
MOSFET BasicsPDF1159 点击下载

应用案例更多案例

系列产品索引查看所有产品

FNA41060B2FSB50825ASFAN3226TFAN3224T
FPF2895FFSH10120ADNFSL336LRDFODM217A
FDG6321CFPF2702FAN3227TFPF2225
FCP125N65S3FPF1008FIN1027AFSQ0265RN
FAN3111EFPF1321FSA4157AFPF1108
Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照
客服
联系客服

元器件业务:

0731-85350837

0731-85351037

PCB/SMT/PCBA业务:

0755-83688678

在线客服:立即咨询
工作时间

周一至周五(9:00-12:00 13:30-18:30)节假日除外

投诉电话:19925199461

购物车
购物车
询价
询价
足迹
最近浏览记录
没有记录
微商城

微信公众平台

搜索:hqchip001

型号搜索订单查询

投诉
我要投诉