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制造商：TI
CSD85302L 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD85302L | TI | CSD85302L 采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 立即购买 |
| CSD85302LT | TI | CSD85302L 采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | 立即购买 |
5-10米，3-5米的室外定位精度已经不能满足时下物联网高精度定位需求，于是，市场上衍生了多款定位精度在1米左右的L1+L5双频定位模块，可为行业客户提供的导航、定位、授时等功能。由于L1+L5双频定位模块型号过多，需要一份浅显易懂的选型指导。
读取CID/CSD寄存器 类似SD存储卡协议(其中寄存器内容作为命令响应发送)。在SPI模式下读取CSD和CID寄存器的内容是一个简单的读块事务。该卡将响应一个标准的响应令牌，后跟一个16字节的数据
这款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换损耗 应用。 *附件：CSD17581Q3A 30V N 沟道
这款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET
这款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换中的损耗 应用。 *附件：CSD18543Q3A 60V N 沟道
这款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18512Q5B 40 V N 沟道 NexFET
这款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18510Q5B N 沟道 NexFET 功率
CSD87313DMS 是一款 30V 共漏极、双 N 通道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。这款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源极到源导通电阻，可最大限度地减少损耗，并为空间受限的应用提供低元件数量。
| C1206C105K5RACTU | CAT874 | CS51021A | C8051F583-IM |
| CAT1025 | CDCM6208 | C1608C0G1H330J | CL25 |
| CAT24AA01 | CAT5123 | CAT5269 | CM1242-07 |
| C1210V563KDRACTU | CSPEMI202A | CAT4101 | CM1402 |
| CC1125 | CM2006 | cd4051 | CM1248-04QG |
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