CSD85302L

制造商：TI

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• L1+L5双频定位模块选型指导_SKYLAB选型建议

  5-10米，3-5米的室外定位精度已经不能满足时下物联网高精度定位需求，于是，市场上衍生了多款定位精度在1米左右的L1+L5双频定位模块，可为行业客户提供的导航、定位、授时等功能。由于L1+L5双频定位模块型号过多，需要一份浅显易懂的选型指导。

  2023-02-22
• 瀚海微SD NAND之SD 协议（38）寄存器&复位&开解锁

  读取CID/CSD寄存器 类似SD存储卡协议(其中寄存器内容作为命令响应发送)。在SPI模式下读取CSD和CID寄存器的内容是一个简单的读块事务。该卡将响应一个标准的响应令牌，后跟一个16字节的数据

  2024-10-10
• CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET技术手册

  这款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换损耗 应用。 *附件：CSD17581Q3A 30V N 沟道

  2025-04-16
• CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册

  这款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET

  2025-04-16
• CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册

  这款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换中的损耗 应用。 *附件：CSD18543Q3A 60V N 沟道

  2025-04-16
• CSD18512Q5B 40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册

  这款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18512Q5B 40 V N 沟道 NexFET

  2025-04-16
• CSD18510Q5B 40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET技术手册

  这款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 *附件：CSD18510Q5B N 沟道 NexFET 功率

  2025-04-16
• CSD87313DMS 30V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、双共漏 SON 3mm x 3mm、5.5mOhm数据手册

  CSD87313DMS 是一款 30V 共漏极、双 N 通道器件，专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。这款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源极到源导通电阻，可最大限度地减少损耗，并为空间受限的应用提供低元件数量。

  2025-04-16

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