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CSD23203W

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CSD23203W8 V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商:TI

产品信息

描述 这款 16.2mΩ,8V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。特性 超低 Qg 和 Qgd 低导通电阻 RDS(on) 小封装尺寸 低高度(高度为 0.62mm) 无铅 符合 RoHS 环保标准 无卤素 芯片级封装 (CSP) 1 x 1.5mm 晶圆级封装应用范围电池管理 负载开关 电池保护All trademarks are the property of their respective owners.

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CSD23203WTTICSD23203W 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 立即购买
CSD23203WTICSD23203W 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 立即购买

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C2012X7R1H105MCAT4008CSD25404Q3CSD19536KTT
CDCE949-Q1C0810J5003AHFC1608C0G1H332JC1005X7R1C104M050BC
CAV24C16CAT4104CM1234C8051F394-A-GM
C1608C0G1H150JCAT5124CC3120CS5124
CAT6219CM2006C1608X7R2A103K080AACL325
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