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    CSD19537Q3

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    CSD19537Q3,100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

    制造商:TI

    产品信息

    描述 这款 100V、12.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mmNexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。特性 超低 Qg 和 Qgd 低热阻 雪崩级 无铅引脚镀层 符合 RoHS 环保标准 无卤素 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装应用一次侧隔离式转换器 电机控制All trademarks are the property of their respective owners.

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    CSD19537Q3TTIMOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 立即购买
    CSD19537Q3TI表面贴装型 N 通道 100 V 50A(Ta) 2.8W(Ta),83W(Tc) 8-VSON(3.3x3.3) 立即购买

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    CAP1208-1-A4-TRCDCE62002CL10A106MA8NRNCCAV24C16
    CAT5120CSD17573Q5BC8051F860-C-GSCAT5241
    CM1233C4532X5R0J476M250KAC2012X7R1A106MC1210V563KDRACTU
    C0603C220J5GACTUCAT24C16C1608C0G1H180J080AACM1230
    CC2540TCR2025CAT24C02CAT4139
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