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CSD19537Q3

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CSD19537Q3,100V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商:TI

产品信息

描述 这款 100V、12.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mmNexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。特性 超低 Qg 和 Qgd 低热阻 雪崩级 无铅引脚镀层 符合 RoHS 环保标准 无卤素 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装应用一次侧隔离式转换器 电机控制All trademarks are the property of their respective owners.

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CSD19537Q3TTICSD19537Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 立即购买
CSD19537Q3TI表面贴装型 N 通道 100 V 50A(Ta) 2.8W(Ta),83W(Tc) 8-VSON(3.3x3.3) 立即购买

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