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产品种类:MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 190 mA
Rds On-漏源导通电阻: 6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V
Qg-栅极电荷: 0.6 nC
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 22 ns
正向跨导 - 最小值: 0.41 S
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 500 mW
上升时间: 3.2 ns
系列: BSS123
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 7.4 ns
典型接通延迟时间: 2.3 ns
零件号别名: BSS123N BSS123NH6327XT H6327 SP000870646
单位重量: 1.438 g
BSS123NH6327XTSA1 封装图
该设备可用于模拟太阳能电池板在各种温度和辐射条件下的I-V曲线，并根据EN 50530:2010测试MPPT特性。
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L1+L5双频多模车载导航定位模块，授时模块SKG123N系列模块性能稳定，性价比更高，具体可根据模块性能需求选择SKG123N，SKG123ND，SKG123NR，SKG123NT。均已批量供货
| BQ24610 | BAW56W | BQ27421-G1 | BlueNRG |
| B3F-4000 | BQ27621-G1 | BELASIGNA 300 | BD65491FV-E2 |
| BAT46RL | BAT43XV2 | BQ500215 | BAS16XV2 |
| BC9VPC | BD678 | B32024A3334M | BQ24105-Q1 |
| BQ24070RHLR | BF256B | BAT54T-XFCS | BZT52B2V4-E3-18 |
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