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BDX34C

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 10 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor

制造商:ON

中文数据手册

产品信息

The 10 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose and low speed switching applications. The BDX33B, BDX33C, BDX34B and BDX34C are complementary devices.
  • High DC Current Gain -
  • h
  • = 2500 (typ.) at I
  • = 4.0
  • Collector-Emitter Sustaining Voltage at 100 mAdc
  • V
  • = 80 Vdc (min.)BDX33B, 34B
  • V
  • = 100 Vdc (min.) - BDX33C, 34C
  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
  • = 2.5 Vdc (max.) at I
  • = 3.0 AdcBDX33B, 33C/34B, 34C
  • Monolithic Construction with Build-In Base-Emitter Shunt resistors
  • TO-220AB Compact Package
  • Pb-Free Packages are Available

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BDX34CGON 立即购买

技术资料

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Darlington Complementary Silicon Power TransistorsPDF94 点击下载
Saber ModelUNKNOW187 点击下载
PSpice ModelUNKNOW174 点击下载
Spice2 ModelUNKNOW175 点击下载
Spice3 ModelUNKNOW175 点击下载
TO-220 3 LEAD STANDARDPDF30 点击下载
BDX33B_PKG.GIFUNKNOW2 点击下载
Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT™-3 Power MOSFETsPDF352 点击下载

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