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特点
热敏电阻颗粒与绝缘ENCAPSULATION
低电阻式,陡峭的R / T曲线
镀银和聚四氟乙烯绝缘AWG 26绞合线
由于小极快的响应尺寸
特性标称门限此,TNTT= 90到160°C符合DIN 44081
的绞合线的颜色编码符合DIN 44081
UL认证符合UL 1434 (文件号E69802)
符合RoHS标准

B59100M1140A070 封装图
998NEW1新品来袭ONE新品来袭—是德M8199B—M8199B是一个任意波形发生器,为R&D工程师提供任意信号的高性能信号源。M8199B为您提供速度、带宽、精度和灵活性,以应对下一代
2022年9月,是德科技在ECOC上发布了全新一代AWG产品M8199B,新一代的M8199B将功率合路器和M8158A远程头做了重新设计,集成到了M8199B前面板里,提供 256GSa/s连续采样率,模拟带宽提升到80GHz。
基本半导体推出的高性能碳化硅MOS,符合RoHS标准、无铅、不含卤素,非常适用于车载OBC体积及发热要求较高的应用;B1M080120HC耐压1200V,最大通过电流44A(T=100℃),导通电阻80mΩ;
1140W2-30MHz业余无线电线性放大器电路图
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FDP070AN06A0:N沟道PowerTrench® MOSFET的卓越性能与应用解析 在电子工程领域,MOSFET作为一种关键的半导体器件,广泛应用于各种电路设计中。今天,我们将深入探讨一款
安森美SiC MOSFET NTBG070N120M3S:高效功率转换的理想之选 在功率电子领域,碳化硅(SiC)技术正逐渐成为推动高效、高功率密度设计的关键力量。安森美(onsemi
onsemi碳化硅MOSFET:NTH4L070N120M3S技术解析 在电子工程领域,功率半导体器件的性能对众多应用的效率和可靠性起着关键作用。今天,我们来深入了解onsemi推出的一款碳化硅