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该AT25080 /三百二分之一百六十○ / 640提供8192/16384/32768/65536位串行electri-的美云可擦除可编程组织为只读存储器（ EEPROM）中1024/2048/4096/8192字的每个字节8位。该装置被用在许多优化工业和商业应用中，低功率和低电压操作
串行外设接口（SPI ）兼容
支持SPI模式0 （0，0）和3 （1，1）的
低电压和标准电压工作
– 5.0 （VCC= 4.5V至5.5V ）
– 2.7 （VCC= 2.7V至5.5V ）
– 1.8 （VCC= 1.8V至3.6V ）
2.1 MHz的时钟速率
32字节的页面模式
块写保护
- 保护1/4，1/2 ，或整个阵列
写保护（ WP ）引脚和写禁止说明
硬件和软件数据保护
自定时写周期（ 5毫秒典型值）
高可靠性
- 耐力： 100万次擦写循环
- 数据保存：100年
- ESD保护： 》4000V
提供汽车级和扩展级温度装置
8引脚PDIP ， SOIC JEDEC和14引脚和20引脚TSSOP封装
| 存储器类型 | 非易失 | |
|---|---|---|
| 存储器格式 | EEPROM | |
| 技术 | EEPROM | |
| 存储容量 | 64Kb （8K x 8） | |
| 时钟频率 | 3MHz | |
| 写周期时间 - 字，页 | 5ms | |
| 存储器接口 | SPI | |
| 电压 - 电源 | 2.7 V ~ 5.5 V | |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
AT25640N-10SI-2.7 封装图
AT25640N-10SI-2.7 封装图
AT25640N-10SI-2.7 引脚图
AT25640N-10SI-2.7电路图
SiC是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。
SI24R1+AT2401C+16M晶振可以代替NRF24L01P+RFX2401C+16M晶振，更低的成本
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本篇开始将为大家介绍“Si晶体管”。虽然统称为“Si晶体管”，不过根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFET”等种类。另外，还可根据处理的电流、电压和应用进行分类。
漂移速度（2.7x10⁷cm/s）则是Si 的2.7倍，热导率(4.9W/ (cm •K)）约是Si的3.2倍。Si、GaAs、4H-SiC 三种半导体材料的物理参数见表2-1。
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| AD847 | ADIS16209 | AD9125 | ADG526A |
| AD8605 | ADV3228 | AD5676 | AD9675 |
| ADP5054 | ATTINY24A-SSU | ADV7393 | AD8307 |
| ATMEGA16-16AU | ADCMP561 | ADP7104ARDZ-2.5-R7 | AD1953 |
| ADSP-21371 | AD526 | ADV7623 | AD605 |
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