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特点
•低电压和标准电压工作
– 5.0 (VCC= 4.5V至5.5V )
– 2.7 (VCC= 2.7V至5.5V )
– 2.5 (VCC= 2.5V至5.5V )
– 1.8 (VCC= 1.8V至5.5V )
低功耗器件(我SB= 2µA @ 5.5V )可
内部分为4096 ×8 , 8192 ×8
2线串行接口
施密特触发器滤波输入抑制噪声
双向数据传输协议
100千赫( 1.8V , 2.5V , 2.7V )和400 kHz ( 5V )的兼容性
写保护引脚用于硬件数据保护
32字节页写模式(部分页写允许)
自定时写周期(最大10 ms )
高可靠性
- 耐力: 100万次擦写循环
- 数据保存:100年
- ESD保护: 》3,000V
提供汽车级和扩展级温度装置
8引脚PDIP JEDEC , 8引脚和14引脚SOIC JEDEC , 8引脚SOIC EIAJ ,
和8引脚TSSOP封装

AT24C32E-XHM-T电路图

AT24C32E-XHM-T 引脚图

AT24C32E-XHM-T 封装图

AT24C32E-XHM-T 封装图

AT24C32E-XHM-T 封装图

AT24C32E-XHM-T 封装图

AT24C32E-XHM-T 封装图
本应用笔记提供了使用达拉斯半导体/Maxim通信产品T1/E1单芯片收发器(SCT)和T1/E1成帧器的小数T1和E1电路设计示例。
本文主要介绍了一下目前市场上面24C02几种打线方式的区别,有利于消费者在芯片选型替代、电路设计、软件编程的注意一些细节,另外就是给出了用C语言软件模拟I2C协议和用汇编语言软件模拟I2C协议对24C02进行存取数据的代码
技术提问 Q1: 虽说Si24R2E布局走线非常简单,是否有提供建议参考,可以避免一些误区? A1: 有的。芯片数据手册上有标准的参考原理图,同时我们会提供一份《Si24R2E硬件设计指南》,避免
AT24C08 是串行CMOS类型的EEPROM存储芯片,AT24C0x这个系列包含了AT24C01、AT24C02、AT24C04、AT24C08、AT24C16这些具体的芯片型号。
24c02读写程序(已通过测试),24C02 read / write process 关键字:24c02读写程序(已通过测试
24C02读写操作程序设计实例,24C02 read / write process 关键字:24C02读写操作程序设计实例 24C
#defineWriteDeviceAddress0x0A2//定义器件在I2C总线中的写地址(注意:根据自定义从机地址接口改变) #defineReadDviceAddress0x0A3//定义器件在I2C总线中的读地址(注意:根据自定义从机地址接口改变) sbitSCL=P0^4;//我的24C32接口设置
| ADSP-BF527 | ADG1334 | AD9248 | ADM1172 |
| ADuM225N | ADV3228 | ADT7311 | ADXRS623 |
| ADUM4474 | ADL5202 | AD5328 | ADRF6702 |
| AD7991 | ADUM3100 | ADM208 | ADM483E |
| AR0238 | ADS7852 | ADG5212 | ADA4891-3 |
元器件业务:
0731-85350837
0731-85351037
PCB/SMT/PCBA业务:
0755-83688678
周一至周五(9:00-12:00 13:30-18:30)节假日除外
投诉电话:19925199461
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