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产品分类 | ||
FET配置（电路类型） | P沟道 | |
漏源击穿电压V(BR)dss | 40V | |
漏极电流（Id, 连续） | 10A（Ta） | |
导通电阻 Rds（on） | 15毫欧 | |
阈值电压Vgs(th) | 2.5V@250µA | |
最大耗散功率 | 1.7W | |
封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AO4485 | AOS | 表面贴装型 P 通道 40 V 10A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SOIC | 立即购买 |
在 9 月 19 日至 9 月 21 日，openEuler 社区将携手AO.space（也称傲空间）参加欧洲开源峰会 Open Souce Summit Europe 2023 的主展台。另外
P型硅的衬底上，通过选择掺杂形成N型的掺杂区，作为NMOS的源漏区；PMOS是在N型硅的衬底上，通过选择掺杂形成P型的掺杂区，作为PMOS的源漏区。本期，合科泰给大家介绍一款应用广泛的P沟道MOS管AO4435，可用于电源、电机驱动等应用。
...量化后可以转换为数字量。说到模拟量，就不得不提AI和AO，下面就来讲解下AI和AO。 AI和AO的讲解 （1）AI信号：模拟量输入 所谓模拟量即4-20mA或0-10V的电流或电压信号，输入到DCS中，经过变换，还原出原来的值，比如电流值到D
的传输更为准确可靠。MOS管还可以发挥功率控制的作用，使得直流电压的产生和调节更为稳定，延长电子设备的使用寿命。也可以在电路中发挥稳压功能，调整电路的电压等等。本期，合科泰给大家推荐一款高性能MOS管AO9435，可用于电机驱动和电源管理电路等场景。
了共源极结构。这种MOS通常具有功耗较低、能效高以及高可靠性、安全性好等特点，是很多电子产品选用的分立器件产品。 本期给大家讲解的这款MOS管AO8822采用了N+N沟道制作，具有很好的电气性能，是一款高性能低功耗的分立器件产品。其能承受在最
本文介绍电路中，MOS管（AO3401）+肖特基（1N5819）常见组合应用。
电源管理和小型化要求的高要求，加上整个生命周期内的高温曲线，是当今设计人员需要解决的挑战。KEMET 正在扩展 AO-CAP ® 铝聚合物 SMD 电容器，在A700 系列.KEMET 通过新的材料
钡铼技术IOy系列I/O模块产品秉承着创新的设计理念，用户可以根据需要自由组合1-3块Y系列I/O板，目前已经支持DI、DO、AI、AO、PT、RTD、计数、编码器等26个I/O板型号，使之可以组成
| ADM6710 | AD8175 | ATMEGA48 | ADUM141E |
| ADUM5400 | ADV7800 | AD1555 | ADM7150 |
| ADUM4153 | AD5664R | AD8476ARMZ | AD9637 |
| AD5116 | ADM1085 | AD7861 | AD7111 |
| AD5752 | ADTL084 | AD7951 | ADA4891-3 |
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