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主要参数
低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）：3.5 µV p-p（2.5 V输出）
无需外部电容
低温度系数A 级: 10 ppm/°C （最大值）B 级: 3 ppm/°C （最大值）
负载调整率：15 ppm/mA
线性调整率：20 ppm/V
宽工作电压范围： ADR430: 4.1 V 至 18 V ADR431: 4.5 V 至18 V ADR433: 5.0 V 至 18 V ADR434: 6.1 V 至 18 V ADR435: 7.0 V 至 18 V ADR439: 6.5 V 至18 V
高输出源电流和吸电流：+30 mA和−20 mA
宽温度范围：−40°C至+125°C
产品详情
ADR43x是XFET系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI的温度漂移曲率校正专利技术和XFET（外加离子注入场效应管）技术，可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA，最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚，可以在0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。
ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为−40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用
精密数据采集系统
高分辨率数据转换器
医疗仪器
工业过程控制系统
光学控制电路
精密仪器
Analog Devices Inc. ADR1001精密电压基准是一款在单个芯片内实现的完全集成、超低漂移、嵌入式齐纳精密电压基准解决方案。ADR1001将整个信号调理电路（LTZ1000所需
杭州东沃电子（DOWOSEMI）专业供应的ULQ2003ADR芯片，是一款高电压、大电流达林顿晶体管阵列，由7个NPN达林顿对组成，具有高达500mA的灌电流能力和较宽的 GPIO 范围能力。这些
近日，SalimBaba Technical在视频网站上传了Redmi 8的开箱视频，确认这款手机将搭载高通骁龙439处理器和5000mAh电池。
前段时间，一款红米新机入网工信部，该机正面采用一块水滴屏，底部有一定的宽度，同时底部有一个红米的Logo。后置单摄像头居中放置，摄像头下方为闪光灯，背面居中位置有一条竖线的设计。
...得还可以，整机重量为188g。配置方面，该机将搭载骁龙439处理器，拥有2GB、3GB以及4GB三种运存可选择，同时存储容量方面拥有16GB、32GB以及64GB三种规格可以选择。
...这款手机处理器主频为2.0GHz，应该是和红米7A一样的骁龙439处理器；拥有2/3/4GB运存以及16/32/64GB三种内存可选，以及5000mAh的大电池，面向老年市场，这个配置可以安装更多的应用，并且续航时间更长；屏幕方面，它搭载了一块6.21...
10月12日，@Redmi红米手机 公布红米8A将有三种全新配色，即珊瑚橙、深海蓝、耀黑色。另外官方还称这款手机“金属质感机身盈盈一握，再难释手”。预计红米8A的手感会相当不错。
骁龙439处理器定位低端处理器，设计目的是提高性能和节省大量电池。
| ADG612 | AD9781 | ADC104S021Q-Q1 | AD7693 |
| AD5522 | AD8222 | AD8066 | AC1367 |
| AD976 | ADM692 | ADP5301 | AD7738 |
| ADT7475 | AD8278 | AD9518-1 | ADV3002 |
| ADuM5410 | AD5398 | AD9516-0 | AD5302 |
周一至周五（9:00-12:00 13:30-18:30）节假日除外
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