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制造商：ADI/AD
优势和特点
xDSL线路驱动器，采用±12 V电源时能提供全速率ADSL CO(中央交换局)性能
低功耗工作电源电压：±5 V至±12 V总电源电流：每个放大器12.5 mA(典型值)功耗降低，保活电流：每个放大器4.5 mA
高输出电压和电流驱动IOUT = 600 mA40 V p-p 差分输出电压RL = 50 Ω，VS =±12 V
低单音失真SFDR：–75 dBc (1 MHz)，RL= 100Ω，VO= 2 Vp-p
MTPR = –75 dBc(26 kHz至1.1 MHz)，ZLINE = 100Ω，PLINE= 20.4 dBm
高速–3 dB带宽：78 MHz (G = +5)，增益平坦度：40 MHz压摆率：1000 V/µs
产品详情
AD8016是一款第二代DSL线路驱动器，能够传输来自中央交换局的全速率ADSL信号，总功耗仅1.5 W。
它引入了灵活的待机功能，提供20引脚PSOP、24引脚SOIC及28引脚TSSOP封装，特别适合线路两端的DSL线路驱动。双通道AD8016采用新颖的电路设计和新型±12 V、高速双极性工艺，每个放大器均能提供20 V峰峰值输出电压及400 mA以上典型输出电流。
突破性双级电流增益设计与高速双极性工艺技术相结合，则使该器件可以提供在供电轨2 V范围内的低失真输出电压，树立了高效率的新标准。
TL431三端可调基准电压芯片是一种常见的精密电压调节器，由德州仪器（Texas Instruments）公司生产。该器件在电子电路中经常用作电压参考源或电源管理单元，提供精确的2.5V至36V范围内的可调电压输出。TL431具有三个引脚：阴极（CATHODE）、阳极（ANODE）和参考端（REF）。 TL431三端可调基准电压芯片内部包含了一个2.5V的固定基准电压源，这个基准源被连接到了内部运算放大器（运放）的反相输入端。该运放作为电压比较器使用，其作用是放大同相输入端与
电子发烧友网报道（文/周凯扬）今年对于存储厂商而言，可谓是重新梳理市场需求的一年，不少企业对 NAND和DRAM 的业务进行了大幅调整，有的就选择了将重心放在下一代 DRAM 上，尤其是在 AI 市场非常吃香的 HBM 内存。 AI 芯片带来的 HBM 热潮 在 AI 芯片的设计中，除了需要先进工艺和先进封装在有限的面积下提供足够的算力和扩展性外，被提及最多的一个问题就是内存墙。过去内存墙的问题在AI 计算还不盛行的时代并不突出，而且 HBM 当时还被视作高
12月7日，在海口举办的2023世界新能源汽车大会上，华为数字能源技术有限公司总裁侯金龙表示，碳中和由全球共识走向全球行动，而交通电动化是实现碳中和目标的关键一环。华为数字能源将携手客户、伙伴， 计划于2024年率先在全国340多个城市和主要公路部署超过10万个华为全液冷超快充充电桩，实现“有路的地方就有高质量充电”。 近日，在2023大湾区数字能源产业高峰论坛上，华为数字能源客户总监师毛杰表示，华为最新的定位是聚焦ICT技术及
今年第三季度，奥来德材料收入8016万元，其中新材料的总利率为70%左右，旧材料的总利率为30%左右。材料进口中，新旧材料各占50%左右，综合总利润率约50%。今年将以prime材料为主大量销售，明年其他材料也将大量销售。
体温是人体生命活动的关键指标之一，准确快速地测量出体温对疾病诊断和治疗有着十分重要的意义。
电子发烧友网报道（文/周凯扬）近年来，RISC-V已经成了业界不可忽视的成功ISA之一，出货核心数超过百亿颗，但这百亿核心中大部分用在了低功耗IoT等应用上。随着高性能计算已经进入Exascale时代，后发的RISC-V是否有机会在HPC市场占据一席之地，是不少厂商和开发者都在琢磨的问题。 其实从去年开始，RISC-V就已经在往这个方向发力了，各种高性能RISC-V处理器的横空出世，终结了RISC-V只能做中低端的论点。RISC-V国际基金会也在去年将HPC标记为RISC-V发展的
据传感器专家网获悉，3月11日，广州增芯科技有限公司12英寸先进智能传感器及特色工艺晶圆制造量产线项目在广州增城开发区举行光刻机搬入活动，标志着增芯项目顺利进入调试投产准备阶段。 据悉， 增芯项目是省、市重点项目，打造国内第一条12英寸智能传感器（MEMS）及特色工艺生产线 ，对增城乃至广州、广东集成电路产业发展具有重要意义。增芯项目占地面积达370亩，分两期建设，此前披露消息显示，一期批复投资70亿元，总投资达370亿元。根据
Chiplet&互联要闻 1、 英特尔预计在“Clearwater Forest”采用独立IO 英特尔计划推出一款名为“Clearwater Forest”的高核心数服务器CPU，采用18A工艺、PowerVIA以提高性能和能效。 该CPU将采用多种封装技术，如Foveros Direct 3D直接铜键合和EMIB 3.5D技术，以优化SRAM和I/O的封装。 Intel Foveros Direct 3D Intel EMIB 3.5D 值得一提的是，在封装方面，英特尔表示将使用其他工艺节点来封装 SRAM 和 I/O，因为它们在较新的工艺上扩展性不佳。 若18A工艺可以按时交付，与 2024 年第一季度
| ADC0808-N | ADM1491E | ADAU1446 | AD7400 |
| ADUM1251 | ADM560 | ADUC7022 | ATSAMHA1G14A |
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