购物车0制造商:ADI/AD
优势和特点
额定电压(VDD):2.7 V至5.25 V
1.5 MSPS(12位)
低功耗:典型3.54 mW(1.2 MSPS,3 V电源)典型8.7 mW(1.5 MSPS,5 V电源)
灵活的功耗/呑吐量管理
宽输入带宽:70 dB(500 kHz输入频率)
无流水线延迟
高速并行接口
休眠模式:50 nA(典型值)
24引脚SOIC和TSSOP封装
产品详情
AD7470/AD7472分别是10位/12位高速、低功耗逐次逼近型ADC,工作电压为2.7 V至5.25 V单电源,12位AD7472的最高呑吐量可达1.5 MSPS,10位AD7470则可达1.75 MSPS。该器件内置一个低噪声、宽带宽采样/保持放大器,可处理20 MHz以上的输入频率。转换过程和数据采集过程均通过标准控制输入进行控制,可与微处理器或DSP轻松连接。输入信号在 CONVST的下降沿进行采样,而转换同时在此处启动。转换开始时,BUSY电平升高,在 CONVST下降沿531.66 ns之后降低(AD7472的时钟频率为26 MHz),表示转换完成。该器件无流水线延迟。转换结果通过标准/CS和/RD信号经高速并行接口进行存取。
AD7470/AD7472采用先进的设计技术,可在高呑吐量的情况下实现极低的功耗。当电源电压为3 V,呑吐量为1.5 MSPS时,AD7470平均功耗通常仅为1.1 mA。当电源电压为5 V,呑吐量为1.75 MSPS时,平均功耗一般为1.6 mA。该器件还具有灵活的功耗/吞吐量管理功能。当采用3 V电源,呑吐量为500 kSPS时,AD7470的功耗可降至713 µA。采用5 V电源,呑吐量为500 kSPS时,功耗为944 µA。
该器件同时支持自动休眠模式,这种模式下,器件唤醒,进入正常模式进行转换,转换结束时自动进入休眠模式。通过这种方式,可在较低呑吐量下实现极低的功耗。在这种模式下,AD7472可采用3 V电源,呑吐量为100 kSPS,平均功耗仅为124 µA。采用5 V电源,呑吐量为100 kSPS时,平均功耗为171 µA。
该器件的模拟输入范围为0 V至REF IN。2.5 V外部基准电压通过REF IN引脚输入。转换速率取决于外部时钟。
ol { margin-top:0px; margin-right:0px; margin-bottom:0px; margin-left:25px; padding-top:0px; padding-right:0px; padding-bottom:10px; padding-left:0px;}li { padding-top:0px; padding-right:0px; padding-bottom:5px; padding-left:0px; margin-top:0px; margin-right:0px; margin-bottom:0px; margin-left:0px;}产品聚焦
高呑吐量、低功耗。AD7470和AD7472可分别提供1.75 MSPS和1.5 MSPS的呑吐量,功耗仅为4 mW。
灵活的功耗/呑吐量管理。转换速率由外部时钟决定,功耗随着转换速率的降低而下降。该器件还具有自动休眠模式,可在较低呑吐量下实现最高功效。
无流水线延迟。该器件采用一个标准逐次逼近型ADC,通过CONVST输入和一次性转换控制可实现对采样时间的精确控制。
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| ADR435BRZ | AD5601 | AT91SAM7SE512 | AD8021 |
| ADA4528-1 | ADE7753 | AT91SAM7S256 | ADP7104ARDZ-2.5-R7 |
| AD5343 | ADR445 | AD8150 | AD5381 |
| AD5627 | AC1342 | ADF5904 | AD7873 |
| ADA4927-1 | ADP3335 | AD8033 | ADM3202 |