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产品分类 | ||
针脚数 | 2 | |
排数 | 1 | |
配接间距 | 0.100"（2.54mm） | |
触头材料 | 黄铜，镍 | |
安装类型 | 通孔(THT) | |
额定电流 | 3A | |
额定电压 | 250V | |
工作温度 | -40°C~105°C | |
封装/外壳 | 直插 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| A2541WV-2P | CJT | 排针 间距2.54mm 2Pins(1x2) 黄铜 镀金 直插 | 立即购买 |
ISSI公司主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM存储芯片。还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。主要是应用在汽车、通信、数字消费以及工业和医疗市场的设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导...
ISSI IS61WV204816ALL是高速，32M位静态RAM，组织为2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的设备。 当CS＃为高电平（取消选择）时，器件将进...
开拓者2P（2排组件竖装）的结构配置经证实可以大幅度降低电站BOS成本，尤其在沙戈荒，农渔光，近海滩涂等复杂应用场景，使用2P的降本效果更为明显。开拓者2P自2021年首次发布以来，一直是天合跟踪主打产品之一。
英尚微推荐一款国产SRAM芯片EMI504HL08WM-55I，由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。支持工业温度范围和芯片级封装，以使用户灵活地进行系统设计。该系列还支持低数据保持电压，以低数据保持电流实现电池备份操作。 位宽512Kx8位，...
...产品需要增加内存内容，以帮助处理大量数据。 ISSI IS61WV25616BLL是高速的4Mbit静态SRAM，它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术，可生产出高性能和低功耗
IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM芯片是一个8M容量，组织结构为512K*16的高速率低功耗静态随机存储器。 采用高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准再加创新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。使用IS62WV51216的片选引脚和...
1P——单极断路器，具有热磁脱扣功能，仅控制火线(相线)，模数18mm;1P+N----单极+N断路器，同时控制火线、零线，但只有火线具有热磁脱扣功能;模数同样为18mm; 2P——单相2极断路器，同时控制火线、零线，且都具有热磁脱扣功能，模数为2*18mm=36mm。
配电箱内，实现对不同区域和不同负荷的分项电能计量，统计和分析。 ADL200单相2P多功能导轨电能表 选配分时计费功能主要功能 技术参数 接线与安装 0.5-1（80）A规格接线图 常见故障的诊断分析及排除方法 1）辅助电源故障 故障表现：仪表通电后闪烁、
| AD7747ARUZ | ADUM5242 | ADV7481 | AT27LV512A |
| ADR366 | ADuM6411 | ADM6316 | AD5686 |
| ADG5436F | AD8213 | ADM213E | AD5932 |
| ADAU1442 | ADM3074E | ADAS1000-3 | ADR361 |
| ADS7254 | AD8634 | ATMEGA8515-16AU | ADG841 |
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