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与UTC 4N60是一个高电压MOSFET
，并设计成有更好的特性，如快速开关时间，低门电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩的特点。这个功率MOSFET通常用在高速开关电源中的应用，
PWM马达控制，高高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
特征：
4A，600V， RDS（on）=2.5Ω@Vgs=10V
极低栅电荷，典型15nC
极低反向转换电容；典型8pF
快速开关能力
增强的dV/di能力
100%雪崩击穿测试
封装型式：TO-220/TO-220F
最大结温 150 ℃
4N60 引脚图
4N60电路图
4N60电路图
4N60 封装图
在功率半导体的细分赛道中，MOS管的性能参数直接决定着电路系统的效率与可靠性。ZK60N04NF这款明确标注“N沟槽”属性的MOS管，以60V额定电压、40A额定电流与DFN5*6封装的精准组合
4K60多功能USB3.0采集卡芯片方案，4K60Hz超高清输入/环出，最高支持4K60视频采集录制，USB33.0传输超低延迟，视频清晰流畅
这款 HDMI 4K 60Hz矩阵4x4可以把四个高清显示信号源与四个高清信号端同时连接起来，同时可以支持光纤和立体声耳机输出。它可以很容易地将四路高清信号在四个兼容高清信号的显示器或者投影机
STD4NK60ZT4一款N沟道600 V，1.7 Ω 内阻，4A超级MESH功率MOS管
Onsemi FDP12N60NZ与FDPF12N60NZ MOSFET技术剖析 在电子设计领域，MOSFET作为关键的功率器件，其性能的优劣直接影响到整个电路的效率与稳定性。今天我们来深入剖析
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