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产品种类:集管和线壳
制造商: Molex
RoHS: 符合RoHS
产品: Wire Housings
类型: Receptacle Housing
位置数量: 12 Position
节距: 4.2 mm
排数: 2 Row
安装风格: Free Hanging
端接类型: Crimp
系列: 5557
商标名: Mini-Fit Jr.
商标: Molex
触点类型: Socket
电流额定值: 13 A
胶壳接口类型: Female
外壳材料: Nylon
封装: Bulk
资格: Commercial
行距: 4.2 mm
工厂包装数量: 2000
电压额定值: 600 V
零件号别名: 0039012120 5557-12R

39012120 封装图
在微电子、光电子等高端领域,半导体增材膜的性能与其三维形貌及内部缺陷高度关联,表面粗糙度影响器件电学接触稳定性,孔隙、裂纹等缺陷则直接决定薄膜的机械强度与服役寿命。共聚焦显微镜凭借其高分辨率三维成像能力,成为揭示半导体增材膜微观形貌与内部缺陷的关键工具,为工艺优化与质量评估提供了可靠依据。下文,光子湾科技将从测量原理、参数优化、形貌分析、缺陷表征、技术特性及
余承东号称“华为有史以来最强大的Mate”华为Mate 70系列马上就要发布了,大家期待吗? 华为Mate 70系列的预计销量肯定也是很多人都关注的。 华为Mate70系列线上(包括华为商城、京东、天猫)预约量已经突破500万,华为Mate70系列预约火爆;不比Mate60差,那Mate70的销量怎么都至少会突破Mate60。大概率会超过Mate60的1500万台。 华为Mate 70系列搭载原生鸿蒙系统,这个肯定一大卖点, 另外,华为Mate70全新AI手势技术;这个肯定也是一个亮点。 有行业人士分析了华
作为捷多邦的产品经理,我们在手机和电脑这类高频使用设备的线路板业务方面有所涉及。除了最基本的多层板工艺之外,还有一些工艺也发挥着关键作用。 高密度互连(HDI)工艺在当下备受青睐。手机和电脑不断追求小型化和高性能,HDI 工艺正好满足这一需求。在手机中,它利用更小的线宽、间距和微孔技术,在有限空间集成更多线路与元件。像手机里的 5G 模块、高像素摄像头电路等复杂部分,都依靠 HDI 工艺实现高效布局,提升了手机的性能和功
近日,大众汽车集团与工会代表经过谈判,最终达成了劳资协议。据悉,该协议旨在避免工厂因运营原因而关闭和裁员,同时确保公司的长期发展。 作为协议的一部分,近4000名大众汽车经理将在明年和2026年放弃相当于其年收入10%左右的奖金。这一减薪措施将持续到本十年末,对公司管理层来说是一次不小的经济压力。此外,工会成员还呼吁包括CEO奥博穆在内的高层领导放弃10%以上的工资,以进一步体现公司的团结和共同应对挑战的决心。 大众汽车集团
万物互联时代,各种应用终端呈现碎片化和多样化的特点,对内核架构有了新的需求,开源开放的RiSC-V架构顺势而生。 作为开源指令集架构, RiSC-V正在成为和X86、ARM并列的第三大主流计算架构,进入RiSC-V赛道的全球各地公司日益增多。根据咨询公司SHD Group的最新研究,预计2024年RISC-V芯片的出货量将超过18亿颗,2030年将超过160亿颗,年复合增长率超过40%。 今年,物联网和AI结合的AIoT将成为主流,进一步推动千行百业的智能化升级。中移动芯昇、海思
随着科技的不断进步,电子器件的性能要求也日益提高。传统的硅(Si)材料在某些应用中已经接近其物理极限,尤其是在高温、高压和高频领域。碳化硅(SiC)作为一种宽带隙(WBG)半导体材料,因其卓越的电学和热学性能,成为了许多高性能电子器件的首选材料。 碳化硅的基本特性 碳化硅是一种由碳和硅原子组成的化合物半导体材料,具有以下特性: 宽带隙 :SiC的带隙约为3.23 eV,远高于硅的1.12 eV,这使得SiC器件能够在更高的电压和温度下工作。
作为捷多邦的PCB 产品经理,今天跟大家聊聊市面上常见的 PCB 工艺。 先来说说多层板工艺,它在PCB 制造领域应用颇为广泛。通过将多个单层线路板合理层压在一起,能在一定空间内巧妙构建起复杂电路系统。像电脑主板这类需要集成众多电子元件的设备,就常采用多层板工艺。它可以把不同功能模块对应的电路妥善分布在各层,以此减少线路之间的相互干扰,确保信号能够稳定、精准地传输,进而保障电脑整体顺畅运行。 在多层板工艺广泛运用的同时
一、建模误差 建模误差是仿真分析中最常见的误差来源之一。它主要源于物理系统与其数学模型之间的差异。在建模过程中,为了简化计算,往往会对实际物理系统进行一定的抽象和假设,如忽略小洞和其他几何结构中的违规行为、载荷简化和边界条件理想化等。此外,二维问题的研究可能忽视其三维特征,静态分析可能忽略动态特性。这些简化处理可能导致模型无法完全反映实际物理系统的真实情况,从而产生建模误差。 二、离散化误差 离散化误差
| 3B46 | 3B03 | 3B17 | 3B34 |
| 3B46 | 3B39 | 3B30 | 3B18 |
| 3200014 | 39000207 | 39014046 | 3B43 |
| 3B42 | 3B41 | 3B20 | 3B43 |
| 3B02 | 3B44 | 3B31 | 3B03 |