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制造商：ON
该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗，同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。 可用于大部分需要高达400mA直流电流的应用，并且能够提供高达2A的脉冲电流。 这款产品特别适合低压、低电流应用（如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器）以及其他开关应用中。
高密度单元设计可实现极低的 R
。
电压控制的小型信号开关。
坚固而可靠。
高饱和电流能力。
产品分类 | ||
FET配置（电路类型） | N沟道 | |
漏源击穿电压V(BR)dss | 60V | |
漏极电流（Id, 连续） | 115mA（Ta） | |
导通电阻 Rds（on） | 7欧姆 | |
阈值电压Vgs(th) | 2.5V@250µA | |
最大耗散功率 | 225mW | |
封装/外壳 | SOT-23-3(SC-59,TO-236-3) |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 2N7002 | TK | MOSFETs N-沟道 60V 115mA SOT-23 | 立即购买 |
| 2N7002 | MDD | MOSFETs N-沟道 60V 500mA SOT-23 | 立即购买 |
| 2N7002 | SK | MOSFETs N-沟道 60V 430mA SOT-23 | 立即购买 |
| 2N7002 | Hottech | MOSFETs N-Channel Vdss：60V Id：115mA Pd：225mW SOT23 | 立即购买 |
| 2n7002 | JCET | MOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=115mA Pd=225mW SOT23-3 | 立即购买 |
| 2N7002 | NXP | N沟道 60V 0.115A | 立即购买 |
中扮演着开关、放大器等角色。 1. 2N7000系列 型号 ：2N7002、2N7005、2N7007、2N7008 类型 ：N沟道增强型MOSFET 最大电压 ：60V（2N7002）、30V
2N7002KM是一款采用SOT-723超小封装的N沟道增强型MOSFET，具有六十伏特耐压能力和零点三四安培连续电流承载能力。这款产品的突出特点在于其零点九欧姆的导通电阻配合八千伏特的ESD防护
Texas Instruments SN74LVC7002A/SN74LVC7002A-Q1四通道双输入或非门包含四个独立的双输入或非门，具有施密特触发输入。每个逻辑门以正逻辑执行布尔函数Y=A+B
该UTC 2N7002 已被设计为减小导通阻力，而提供坚固，可靠，快速切换性能。它可以在需要高达大多数应用中使用 400毫安DC，并且可以提供脉冲电流高达2A.该产品特别适用于低电压，低电流应用，例如作为小型伺服电机控制，功率M...
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2N7002K/2V7002K小信号MOSFET：设计应用全解析 在电子设计领域，小信号MOSFET作为关键元件，广泛应用于各类电路中。今天我们就来深入探讨一下2N7002K和2V7002K这两款
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