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The Microchip Technology Inc. 23X256 are 256 KbitSerial SRAM devices. The memory is accessed via asimple Serial Peripheral Interface (SPI) compatibleserial bus. The bus signals required are a clock input(SCK) plus separate data in (SI) and data out (SO)lines. Access to the device is controlled through a ChipSelect (CS) input.Communication to the device can be paused via thehold pin (HOLD). While the device is paused,transitions on its inputs will be ignored, with theexception of Chip Select, allowing the host to servicehigher priority interrupts.The 23X256 is available in standard packagesincluding 8-lead PDIP and SOIC, and advancedpackaging including 8-lead TSSOP.
Max. Clock 20 MHz
Low-Power CMOS Technology: - Read Current: 3 mA at 1 MHz - Standby Current: 4 µA Max. at 3.6V
32,768 x 8-bit Organization
32-Byte Page
HOLD pin
Flexible Operating modes: - Byte read and write - Page mode (32 Byte Page) - Sequential mode
Sequential Read/Write
23K256 封装图
23K256 封装图
23K256 封装图
23K256 封装图
23K256 封装图
23K256 封装图
23K256 封装图
23K256 封装图
23K256 封装图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| 23K256T-E/SN | - | - | 立即购买 |
| 23K256-E/SN | CYP | IC CLK ZDB 12OUT 125MHZ 52TQFP | 立即购买 |
| 23K256T-I/SN | TI | CDCVF2510 适用于 DRAM 应用且具有 10 个输出的 3.3V 锁相环路时钟驱动器 | 立即购买 |
| 23K256-I/ST | - | - | 立即购买 |
| 23K256T-E/ST | Maxim | Delay Line IC Nonprogrammable 10 Tap 300ns 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 立即购买 |
| 23K256-E/ST | ON | NECL/PECL 输入转换。延迟部分由一个可编程的门极和多路复用器矩阵组成（如数据表逻辑图所示）。EP195 延迟增量的可数字选择分辨率约为 10 ps，最高 10.2 ns。10 个数据选择输入 D(0:9) 由锁存启用 (LEN) 控制上的高电平信号锁存在芯片上，通过这些数据选择输入 D 即可选择所需的延迟。MC10/100EP195 是一款可编程延迟芯片 (PDC)，主要用于时钟去摆和计时调节。它具有一个差分可变延迟。与 D0 (LSB) 到 D9 (MSB) 相关的可变抽头数对应的大致延迟值如数据表所示。由于 EP195 设计为使用多路复用器链条，因此它具有 2.2 ns 的固定最小延迟。提供一个附加引脚 D10，用于级联多个 PDC，从而扩大可编程范围。级联逻辑允许完全控制多个 PDC。通过 CMOS、ECL 或 TTL 电平信号的 VEF（引脚 7）和 VCF（引脚 8）之间的互联组合，可对选择输入引脚 D0-D10 的阈值进行控制。对于 CMOS 输入电平，请将 VCF 和 VEF 保持开路。对于 ECL 运行，请将 VCF 和 VEF （引脚 7 和 8）保持短路。对于 TTL 电平运行，请将一个 1.5 V 参考电源连接至 VCF，并将 VEF 引脚保持开路。可在 VCF 和 VEE 之间放置 1.5 kΩ 或 500 Ω 电阻，分别用于 3.3 V 或 5.0 V 电源，从而让 VCF 引脚的参考电压达到 1.5 V。VBB 引脚作为内部产生的电源，仅可用于该器件。对于单端输入情况，将未使用的差分输入连接至 VBB，作为开关参考电压。VBB 还可重新偏置交流耦合输入。使用时，通过 0.01 F 电容器对 VBB 和 VCC 进行去耦合，并将源/汲电流限制为 0.5 mA。 | 立即购买 |
具有4096K位低功耗和单电压读写操作。23AA04M和23LCV04M支持串行双接口 (SDI) 和串行四路接口 (SQI)，可实现更快的数据速率和143MHz高速时钟频率。SRAM具有内置纠错码
) 逻辑，可确保高可靠性。Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM提供256 x 8位组织，具有字节、页面和顺序读写模式。该SRAM具有无限读取和写入周期，并支持外部电池备份。这些器件不含卤素，符合RoHS指令。
+是6999（8GB+256GB）起；S23 Ultra是8999（8GB+256GB）起。 Galaxy S23系列在外观造型取消了后置模组的模块化，显得更加简洁，并且此次在机身材质上三款机型都采用
N531 Z K/中科 SOT23-5 电磁炉驱动IC是一款专为电磁炉设计的集成电路，具有高效、稳定、可靠的特点。该驱动IC采用了中科公司先进的制程技术，结合SOT23-5封装形式，使得其在电磁炉
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC
据悉，近日三星在其京东自营旗舰店启动了618提前购活动，Galaxy S23 Ultra 手机 12GB+256GB版本价格大幅降低至5699元，相比原价优惠高达4000元。
MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM 芯片 DDR3L SDRAM 4G-Bit 256M x 16 1.35V 96-Pin F-BGA
HS23P6622LR新品介绍 HS23P6622LR 是一款集成了5 通道有效精度18 位的ƩΔ ADC 的8 位MCU。MCU 资源丰富，包括2K 字的ROM，256 byte 的RAM，及各种
| 24AA014H | 24LC16B | 2N3904 | 2N5657 |
| 24AA256UID | 2SB1202 | 2SB1201 | 2N3906 |
| 24AA025UID | 2SB1203 | 2N3442 | 24VL024H |
| 24AA16 | 2SA2013 | 24LC21A | 2N6517 |
| 2N5886 | 24AA02E64 | 24LC024 | 2308-1HDCG |
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