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制造商:ON
1N5818电路图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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1N5818RL | ON | Diode Schottky 30V 1A Through Hole DO-41 | 立即购买 |
1N5818RLG | ON | 整流二极管 VRRM=30V Io=1A VF=550mV DO41 | 立即购买 |
1N5818G | ON | Diode Schottky 30V 1A Through Hole Axial | 立即购买 |
1N5818 | - | - | 立即购买 |
标题 | 类型 | 大小(KB) | 下载 |
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Axial Lead Rectifiers | 75 | 点击下载 | |
LIB Model For 1N5818 | UNKNOW | 65 | 点击下载 |
SP3 Model For 1N5818 | UNKNOW | 65 | 点击下载 |
SIN Model For 1N5818 | UNKNOW | 76 | 点击下载 |
SP2 Model For 1N5818 | UNKNOW | 65 | 点击下载 |
Axial Lead 5.20x2.70mm, 25.4x0.71mm Pkg, Lead len/dia | 57 | 点击下载 | |
1N5817_PKG.GIF | UNKNOW | 178 | 点击下载 |
Axial Lead / DO-41 | 21 | 点击下载 |
采用新型热阻 增强封装的 P2 系列表现出超高的电气性能,支持具有挑战性的高功率应用,坚固可靠 英国剑桥 - 无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效氮化镓(GaN)功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出采用新颖的芯片和封装设计的、超低导通电阻(RDS(on)) ICeGaN™ GaN 功率 IC ,将 GaN 的优势提供给数据中心、逆变器、电机驱动器和其他工业电源等高功率应用。新型 ICeGaN™ P2系列 IC RDS(on)低至25 mΩ,支持多
开关电源的电磁干扰测试可分为传导测试与辐射测试,一般开关电源的传导测试频段是指150K~30MHz之间,而辐射干扰的频段是指30M~300MHz,300MHz之后的频段一般皆不是电源所产生,因此大都可以给予忽略。
卷积神经网络 (CNN) 由各种类型的层组成,这些层协同工作以从输入数据中学习分层表示。每个层在整体架构中都发挥着独特的作用。
从概念上讲,星形接地涉及到构建一个电气系统,系统中所有模块或者设备都在一点接地。 最简单的方法是使用电源,其中负极端子(正极端子)被分支到不同的模块中,将她们并联在电路中。
对于每个被掩码的网格,计算此网格中的点云数量,并通过将点云数量除以其在3D空间中的占用体积来得到对应的密度真值。
推挽输出(Push-Pull Output),故名思意能输出两种电平,一种是推(拉电流,输出高电平),一种是挽(灌电流,输出低电平)。推挽输出可以使用一对开关来实现,在芯片中一般使用晶体管 / 场效应管。
经过深入分析,我们断定问题的根源在于变频器干扰模拟量通道。变频器在工作时会产生电磁干扰,这些干扰信号可能通过导线传导至PLC的模拟量通道,导致信号失真或失效。
将去除噪音后的结果数据,利用视频解码器进行解码,将低维潜在空间数据还原成原始视频数据,这里可以实现不同分辨率的视频解码。
1V5KE120CA | 1N4149 | 1V5KE30CA | 1B21 |
1N5931B | 1N5932BRNG | 1N5232B | 1-1703494-1 |
1V5KE20CA | 1N4148 | 1N5225B | 1N3595 |
1N4448WT | 1V5KE6V8A | 105164-0001 | 1V5KE62CA |
1ED020I12-B2 | 12052486-B | 1N5920B | 1N4148WT |