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芯片公司：德州仪器（TI）
发布时间：2023-08-02
30kW 3 相交错并联 LLC DCDC 转换器 (CRD30DD12N-K) 针对高功率密度、高效率快速充电器应用而设计，采用 Wolfspeed 的分立式 1200V C3M 碳化硅MOSFET (C3M0040120K) 和 650V C6D 碳化硅肖特基二极管（C6D20065D 和C6D10065A）。
实施 3 相交错并联 LLC 拓扑结构，可为电动汽车高功率快速充电器提供低输入电流纹波和高效率。分立式功率器件提供高性价比的通用封装解决方案。开关频率范围为 130kHz - 250kHz，功率密度为 6.5kW/L，峰值效率高于 98%，输出电压范围为 200V - 1000V，可适应所有不同类型的电动汽车。
电动汽车 - 快速充电系统
高压直流输电
企业服务器/电信
大电流工业电力系统
降低传导损耗，提升系统效率
支持高开关频率操作
提高系统级功率密度
降低系统尺寸、重量和冷却需求
低输入/输出纹波 使单转换器实现高额定功率
DC 输入电压：650Vdc - 850Vdc
DC 输出电压：200V-1000V；CP 30kW（Vo>= 300V 时）
开关频率：fr=180kHz，范围 135kHz ~250kHz
PCBA 尺寸：270mm*260mm*65mm
LLC 效率：>98%（峰值），>97%（满负载）
散热片温度：最高 85˚C
热界面：Al2O3 或 AlN 1mm
| 图片 | 数据手册 | 商品名称 | 产品型号 | 产品描述 | 品牌 | 单机用量 | 价格 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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光电耦合器 | TCLT1003 | 光电耦合器 5KVrms Vr=6V If=60mA | Vishay | 1 |
1.6477
1+ 2.6907 10+ 2.3496 30+ 2.1546 100+ 1.8135 500+ 1.6477 |
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肖特基二极管 | BAT754S,215 | 肖特基二极管 Dual,Series VR=30V IF=200mA IR=2µA Cd=10pF SOT23 | Nexperia | 6 |
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DC-DC电源芯片 | LM3478MAX/NOPB | 开关稳压器的高效低压侧N通道控制器 8SOIC | TI | 1 |
3.7075
1+ 5.9217 10+ 5.1977 30+ 4.7836 100+ 4.0596 500+ 3.7075 |
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-- | 齐纳/稳压二极管 | BZT52C15-7-F | 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：15V 稳压值(范围)：13.8V~15.6V 功率：370mW 反向电流(Ir)：100nA@10.5V 阻抗(Zzt)：30Ω | DIODES | 1 |
0.1103
10+ 0.1825 100+ 0.1589 300+ 0.1454 1000+ 0.1217 5000+ 0.1103 |
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齐纳/稳压二极管 | MMSZ5232B-7-F | 齐纳/稳压二极管 SOD-123 900mV 11Ω 5µA 370mW | DIODES | 1 |
0.1469
10+ 0.2443 100+ 0.2125 300+ 0.1943 1000+ 0.1624 5000+ 0.1469 |
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综合元器件 | UCC5350MCQDWVQ1 | UCC5350MCQDWVQ1 | TI | 6 |
134.7854
1+ 134.7854 |
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比较器 | LM2903DR | 比较器 双通道 2mV 100nA | TI | 1 |
0.2340
10+ 0.3733 100+ 0.3278 300+ 0.3017 1000+ 0.2562 5000+ 0.2340 |
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精密放大器 | OPA2376AIDR | 双路、精密、低噪声、低静态电流运算放大器 SOIC8_150MIL 5.5MHz | TI | 2 |
3.4070
1+ 5.4245 10+ 4.7648 30+ 4.3875 100+ 3.7278 500+ 3.4070 |
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电压基准芯片 | TL431AQDBZRQ1 | TL431-Q1 汽车类可调节精密并联稳压器（引脚布局：KRA） | TI | 1 |
85.1276
10+ 102.1532 200+ 93.6404 500+ 85.1276 |
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线性稳压器及LDO | MC78L05F-TP | PMIC - 稳压器 - 线性 正 固定 1 输出 100mA SOT89-3 | MCC | 1 |
0.4473
5+ 0.7273 50+ 0.6357 150+ 0.5834 500+ 0.4918 2500+ 0.4473 |
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其它微处理器 | TMS320F28377DPTPT | 具有 800MIPS、2xCPU、2xCLA、FPU、TMU、1024KB 闪存、EMIF、16 位 ADC 的 C2000 32 位 MCU | TI | 1 |
379.6800
1+ 379.6800 |
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精密放大器 | OPA2376AIDR | 双路、精密、低噪声、低静态电流运算放大器 SOIC8_150MIL 5.5MHz | TI | 2 |
3.4070
1+ 5.4245 10+ 4.7648 30+ 4.3875 100+ 3.7278 500+ 3.4070 |
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比较器 | LM2903DR | 比较器 双通道 2mV 100nA | TI | 1 |
0.2340
10+ 0.3733 100+ 0.3278 300+ 0.3017 1000+ 0.2562 5000+ 0.2340 |
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CAN收发器 | ISO1050DUBR | CAN收发器 1Mbps 2500Vrms 50kV/us | TI | 1 |
2.0853
1+ 3.4111 10+ 2.9776 30+ 2.7296 100+ 2.2961 500+ 2.0853 |
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温度传感器 | LM50CIM3X/NOPB | 温湿度传感器 SOT-23-3 4.5~10V 130µA | TI | 1 |
1.4079
1+ 2.2459 10+ 1.9719 30+ 1.8152 100+ 1.5412 500+ 1.4079 |
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线性稳压器/LDO | TPS70445PWP | TPS704 具有电源正常指示的双输出 2A/1A 低压降稳压器 | TI | 1 |
31.5700
1000+ 31.5700 |
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缓冲器/驱动器 | MC74VHCT50ADR2G | MC74VHCT50A 是一款六路非反向缓冲器，使用硅门极 CMOS 工艺制造。它能实现与同等双极肖特基 TTL 相似的高速运行，同时还能保持 CMOS 低功耗。内部电路由三级组成，包括一个提供高抗扰性和稳定输出的缓冲器输出。该器件输入可兼容 TTL 型输入阈值，输出则具有全 CMOS 电平输出摆幅。此器件上的输入保护电路允许输入上的耐过电压，使得此器件能够用作从 3.0 V CMOS 逻辑进行转换的逻辑电平转换器，且能在高电压电源下运行。MC74VHCT50A 输入结构在应用高达 7.0 V 的电压时提供保护，而无论电源电压如何。因此使得 MC74VHCT50A 可用作 5 V 到 3 V 电路的接口。输出结构还会在 VCC = 0V 时提供保护。这些输入和输出结构有助于防止电源电压 - 输入/输出电压不匹配、电池备用、热插入等导致的器件损坏。 | ON | 2 |
0.0000
1+ 0.0000 |
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光电耦合器 | TCLT1003 | 光电耦合器 5KVrms Vr=6V If=60mA | Vishay | 2 |
1.6477
1+ 2.6907 10+ 2.3496 30+ 2.1546 100+ 1.8135 500+ 1.6477 |
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| 查看更多 | ||||||||
| 应用手册： | PRD-05777_User_Guide_CRD-30DD12N-K.pdf |
| 规格书： | crd30dd12n-k_spec_sheet_cn.pdf |
| BOM List： | BOM.rar |
| Gerber： | PCB.rar |
| 电路图： | Schematics.rar |
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