2N7000G2N7000、2N7000-D75Z 的区别

    2N7000G

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    2N7000

    制造商:ON

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    2N7000-D75Z

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    ECCN编码
    安装类型插件插件插件
    包装散装 Bag PackingTape/reel
    阈值电压3V@1mA3V@1mA3V
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道
    栅极电荷(Qg)---
    FET功能---
    封装/外壳TO92-3TO92-3TO92-3
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    漏源电压(Vdss)60V60V60V
    连续漏极电流200mA200mA200mA
    系列---
    功率耗散350mW400mW400mW
    零件状态过期ActiveActive
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5欧姆@500mA,10V5Ω@10V,500mA1.2Ω@10V,500mA
    引脚数3Pin3Pin3Pin
    高度4.83mm5.33mm4.83mm
    长x宽/尺寸4.83 x 3.69mm5.20 x 4.19mm4.76 x 3.62mm
    输入电容60pF50pF@25V50pF
    是否无铅YesYes-
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)-
    配置-单路-
    Vgs(Max)-±20V±20V
    原始制造商-ON Semiconductor-
    制造商标准提前期-8 周-
    最小包装-1000pcs-
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V4.5,10V
    认证信息-RoHS-
    原产国家-America-
    类型-1个N沟道1个N沟道
    额定功率-400mW400mW
    品牌-ONON
    极性-N-沟道N-沟道
    击穿电压-60V-
    栅极源极击穿电压-±20V±20V
    反向传输电容Crss-4pF4pF@25V
    存储温度--55℃~+150℃-
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