RTT064R53FTP 与
IPD180N10N3G、NVD6824NLT4G 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 温度系数 | ±200ppm/℃ | - | - | |
| 工作温度 | -55℃~+155℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ | |
| 包装 | Tape/Reel | 剪切带(CT) ,带卷(TR) | Bulk packing | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 长x宽/尺寸 | 3.05 x 1.55mm | - | 6.60 x 6.12mm | |
| 封装/外壳 | 1206 | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | |
| 精度 | ±1% | - | - | |
| 功率 | 250mW | - | - | |
| 引脚数 | 2Pin | - | 3Pin | |
| 最小包装 | 5000pcs | - | - | |
| 等级 | 消费级 | - | - | |
| 高度 | 0.50mm | - | 2.29mm | |
| 应用 | Consumer | - | - | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | - | |
| 系列 | RTT | OptiMOS™ | Automotive,AEC-Q101 | |
| 品牌 | RALEC | - | ON | |
| 原始制造商 | RALEC Co., Ltd. | - | - | |
| 原产国家 | China Taiwan | - | - | |
| 认证信息 | HF(halogen free), RoHS | - | - | |
| 元件生命周期 | Active | - | - | |
| 电阻类型 | 厚膜电阻 | - | - | |
| 额定电压 | 200V | - | - | |
| 存储温度 | +20℃~+30℃ | - | - | |
| 阻值 | 4.53Ω | - | - | |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | |
| FET功能 | - | - | - | |
| Vgs(Max) | - | ±20V | ±20V | |
| 漏源电压(Vdss) | - | 100V | 100V | |
| 连续漏极电流 | - | 43A | 8.5A,41A | |
| 阈值电压 | - | 3.5V@33µA | 2.5V | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 6V,10V | - | |
| 输入电容 | - | 1.8nF@50V | 3.468nF | |
| 制造商标准提前期 | - | 12 周 | - | |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1(无限) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 18毫欧@33A,10V | 16.5mΩ@10V,20A | |
| 功率耗散 | - | 71W | 3.9W,90W | |
| 零件状态 | - | Active | Active | |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | 66nC | |
| 额定功率 | - | - | 90W | |
| 极性 | - | - | N-沟道 | |
| 栅极源极击穿电压 | - | - | ±20V | |
| 类型 | - | - | 1个N沟道 | |
| 反向传输电容Crss | - | - | 133pF@25V | |
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