RTT064R53FTPIPD180N10N3G、NVD6824NLT4G 的区别

    RTT064R53FTP

    制造商:RALEC

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    IPD180N10N3G

    制造商:Infineon

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    NVD6824NLT4G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    温度系数±200ppm/℃--
    工作温度-55℃~+155℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃
    包装Tape/Reel剪切带(CT) ,带卷(TR) Bulk packing
    安装类型SMTSMTSMT
    长x宽/尺寸3.05 x 1.55mm-6.60 x 6.12mm
    封装/外壳1206TO-252(DPAK)TO-252(DPAK)
    精度±1%--
    功率250mW--
    引脚数2Pin-3Pin
    最小包装5000pcs--
    等级消费级--
    高度0.50mm-2.29mm
    应用Consumer--
    是否无铅YesYes-
    系列RTTOptiMOS™Automotive,AEC-Q101
    品牌RALEC-ON
    原始制造商RALEC Co., Ltd.--
    原产国家China Taiwan--
    认证信息HF(halogen free), RoHS--
    元件生命周期Active--
    电阻类型厚膜电阻--
    额定电压200V--
    存储温度+20℃~+30℃--
    阻值4.53Ω--
    晶体管类型-N沟道N沟道
    FET功能---
    Vgs(Max)-±20V±20V
    漏源电压(Vdss)-100V100V
    连续漏极电流-43A8.5A,41A
    阈值电压-3.5V@33µA2.5V
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-6V,10V-
    输入电容-1.8nF@50V3.468nF
    制造商标准提前期-12 周-
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-18毫欧@33A,10V16.5mΩ@10V,20A
    功率耗散-71W3.9W,90W
    零件状态-ActiveActive
    栅极电荷(Qg)--66nC
    额定功率--90W
    极性--N-沟道
    栅极源极击穿电压--±20V
    类型--1个N沟道
    反向传输电容Crss--133pF@25V
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