BU941TIPD180N10N3G、NVD6824NLT4G、AOD2910 的区别

    BU941T

    制造商:SPTECH

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    IPD180N10N3G

    制造商:Infineon

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    NVD6824NLT4G

    制造商:ON

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    AOD2910

    制造商:AOS

    最优价格:¥1.91100

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    ECCN编码
    DC电流增益(hFE)300---
    集射极击穿电压Vce(Max)400V---
    晶体管类型NPNN沟道N沟道N沟道
    安装类型插件SMTSMTSMT
    封装/外壳TO-220CTO-252(DPAK)TO-252(DPAK)TO-252(DPAK)
    跃迁频率----
    包装Tube packing剪切带(CT) ,带卷(TR) Bulk packingTape/reel
    特性带预偏置电阻及保护二极管---
    工作温度-55℃~+200℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃
    配置单路--单路
    功率耗散150W71W3.9W,90W53.5W
    集电极电流 Ic15A---
    类型NPN-1个N沟道1个N沟道
    集电极-基极电压(VCBO)500V---
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))400V---
    发射极与基极之间电压 VEBO5V---
    存储温度-65℃~+150℃---55℃~+175℃
    最小包装50--2500pcs
    原始制造商SPTECH Electronics Co. Ltd--Alpha and Omega Semiconductor
    原产国家China--America
    极性NPN-N-沟道N-沟道
    长x宽/尺寸10.20 x 4.50mm-6.60 x 6.12mm6.60 x 6.10mm
    高度18.80mm-2.29mm2.29mm
    品牌SPTECH-ONAOS
    引脚数3Pin-3Pin3Pin
    漏源电压(Vdss)-100V100V100V
    连续漏极电流-43A8.5A,41A31A
    阈值电压-3.5V@33µA2.5V2.7V@250µA
    FET功能----
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-18毫欧@33A,10V16.5mΩ@10V,20A18.5mΩ@10V,20A
    系列-OptiMOS™Automotive,AEC-Q101-
    零件状态-ActiveActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-6V,10V--
    输入电容-1.8nF@50V3.468nF1.19nF
    制造商标准提前期-12 周-16 周
    是否无铅-Yes-Yes
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    栅极电荷(Qg)--66nC-
    反向传输电容Crss--133pF@25V7pF
    额定功率--90W2.5W,53.5W
    栅极源极击穿电压--±20V±20V
    击穿电压---100V
    元件生命周期---Active
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