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    DF2S5.1ASL,L3FBAS70S_R1_00001、BAS70-04-7-F 的区别

    DF2S5.1ASL,L3F

    制造商:Toshiba

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    BAS70S_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.24699

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    BAS70-04-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.14391

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    ECCN编码
    结电容45pF@1MHz--
    击穿电压 -min4.8V--
    包装剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/ReelTape/Reel
    安装类型SMTSMTSMT
    封装/外壳SMD2SOT-23SOT-23
    峰值脉冲电流(Ipp)---
    工作温度--55℃~+150℃(TJ)-55℃~+125℃
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)-1(无限)
    电源线路保护--
    钳位电压---
    类型齐纳--
    系列---
    零件状态在售ActiveActive
    制造商标准提前期12 周--
    功率-峰值脉冲---
    单向通道1--
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesNo
    应用通用消费级通用
    反向漏电流IR-1μA100nA
    正向压降VF-410mV1V
    平均整流电流-200mA70mA
    反向耐压VR-70V70V
    二极管配置-1对串联1对串联
    二极管类型-Schottky肖特基
    品牌-PANJITDIODES
    原始制造商-PANJIT International Inc.Diodes Incorporated
    正向电流-200mA70mA
    正向压降VF Max-410mV1V
    长x宽/尺寸-2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    高度-1.10mm1.00mm
    引脚数-2Pin3Pin
    最小包装-3000pcs3000pcs
    原产国家-China TaiwanAmerica
    元件生命周期-ActiveActive
    工作温度-结---55°C~125°C
    反向峰值电压(最大值)--70V
    速度--小信号 =< 200mA(Io),任意速度
    功率耗散(最大值)--200mW
    反向恢复时间(trr)--5ns
    认证信息--RoHS, AEC-Q101
    反向击穿电压--70V
    脚间距--1.92mm
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)--100mA
    总电容C--2pF
    存储温度---65~+150℃
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