9-1393303-7RHP020N06T100、ZXMN6A07ZTA 的区别

    9-1393303-7

    制造商:TE

    最优价格:

    查看详情 查看数据资料

    RHP020N06T100

    制造商:ROHM

    最优价格:¥1.82221

    查看详情 查看数据资料

    ZXMN6A07ZTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥2.32260

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    额定接触电流70A--
    开关电压24VDC--
    安装类型可插SMTSMT
    端子类型插件,快连-多种尺寸--
    线圈类型无锁存--
    线圈电压24V--
    触头外形SPST-NO(1A型)--
    导通电压14.4VDC--
    关闭电压(最小值)3.2VDC--
    工作时间7ms--
    释放时间2ms--
    特性---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)
    触头材料银合金--
    制造商标准提前期20 周10 周10 周
    线圈功率1.8W--
    包装散装 Tape/reelTape/reel
    线圈电阻324Ω--
    继电器类型汽车级--
    工作温度-40℃~+125℃+150℃-
    漏源电压(Vdss)-60V60V
    配置-单路单路
    FET功能---
    封装/外壳-SOT89-3SOT89-3
    Vgs(Max)-±20V±20V
    晶体管类型-N沟道N沟道
    连续漏极电流-2A2.5A
    阈值电压-2.5V3V@250µA
    栅极源极击穿电压-±20V±20V
    输入电容-140pF166pF
    品牌-RohmDIODES
    极性-N-沟道N-沟道
    长x宽/尺寸-4.50 x 2.50mm4.60 x 2.60mm
    是否无铅-YesYes
    高度-1.50mm1.60mm
    充电电量-14nC-
    原始制造商-Rohm Co.,Ltd.Diodes Incorporated
    原产国家-JapanAmerica
    额定功率-500mW1.5W
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-200mΩ@10V,2A250mΩ@10V,1.8A
    类型-1个N沟道1个N沟道
    最小包装-1000pcs1000pcs
    系列---
    功率耗散-500mW1.5W
    零件状态-ActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4V,10V4.5V,10V
    元件生命周期--Active
    击穿电压--60V
    引脚数--3Pin
    加入购物车询价加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照