1N4007GP-TPMMBTA56LT1G、MMBTA56、MMBTA56 的区别

    1N4007GP-TP

    制造商:MCC

    最优价格:

    查看详情 查看数据资料

    MMBTA56LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.22716

    查看详情

    MMBTA56

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.72393

    查看详情 查看数据资料

    MMBTA56

    制造商:DIOTEC

    最优价格:

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    工作温度-结-55°C~150°C---
    平均整流电流1A---
    反向漏电流IR5μA@1KV---
    反向恢复时间(trr)2µs---
    包装剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reel--
    二极管类型标准---
    封装/外壳DO-41(DO-204AL)SOT-23SOT-23SOD-323
    速度标准恢复>500ns,>200mA(Io)---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)--
    正向压降VF1.1V---
    反向耐压VR1KV---
    安装类型插件SMT--
    制造商标准提前期8 周4 周--
    引脚数2Pin3Pin--
    高度2.35mm1.11mm--
    长x宽/尺寸4.65 x 2.35mm2.90 x 1.30mm--
    零件状态ActiveActive--
    是否无铅YesYes--
    晶体管类型-PNPPNPPNP
    DC电流增益(hFE)-100-100@100mA,1V
    跃迁频率-50MHz50MHz-
    集射极击穿电压Vce(Max)-80V80V80V
    配置-单路--
    工作温度--55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    Vce饱和压降-250mV--
    原始制造商-ON Semiconductor--
    最小包装-3000pcsCut Tape-
    存储温度--55℃~+150℃--
    功率耗散-225mW--
    集电极截止电流 (Icbo)-100nA--
    发射极与基极之间电压 VEBO-4V--
    系列----
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-80V-80V250mV@100mA,10mA
    额定功率-225mW-250mW
    特征频率(fT)-50MHz50MHz50MHz
    印字代码-2GM--
    集电极-基极电压(VCBO)-80V--
    集电极电流 Ic-500mA500mA500mA
    极性-PNP--
    品牌-ON--
    原产国家-America--
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO---80V-
    加入购物车询价加入购物车加入购物车询价

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照