1N4007GP-TP 与
MMBTA56LT1G、MMBTA56、MMBTA56 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 工作温度-结 | -55°C~150°C | - | - | - |
| 平均整流电流 | 1A | - | - | - |
| 反向漏电流IR | 5μA@1KV | - | - | - |
| 反向恢复时间(trr) | 2µs | - | - | - |
| 包装 | 剪切带(CT) ,带卷(TR) | Tape/reel | - | - |
| 二极管类型 | 标准 | - | - | - |
| 封装/外壳 | DO-41(DO-204AL) | SOT-23 | SOT-23 | SOD-323 |
| 速度 | 标准恢复>500ns,>200mA(Io) | - | - | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | 1(无限) | - | - |
| 正向压降VF | 1.1V | - | - | - |
| 反向耐压VR | 1KV | - | - | - |
| 安装类型 | 插件 | SMT | - | - |
| 制造商标准提前期 | 8 周 | 4 周 | - | - |
| 引脚数 | 2Pin | 3Pin | - | - |
| 高度 | 2.35mm | 1.11mm | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 4.65 x 2.35mm | 2.90 x 1.30mm | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | - | - |
| 是否无铅 | Yes | Yes | - | - |
| 晶体管类型 | - | PNP | PNP | PNP |
| DC电流增益(hFE) | - | 100 | - | 100@100mA,1V |
| 跃迁频率 | - | 50MHz | 50MHz | - |
| 集射极击穿电压Vce(Max) | - | 80V | 80V | 80V |
| 配置 | - | 单路 | - | - |
| 工作温度 | - | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) |
| Vce饱和压降 | - | 250mV | - | - |
| 原始制造商 | - | ON Semiconductor | - | - |
| 最小包装 | - | 3000pcs | Cut Tape | - |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | - | - |
| 功率耗散 | - | 225mW | - | - |
| 集电极截止电流 (Icbo) | - | 100nA | - | - |
| 发射极与基极之间电压 VEBO | - | 4V | - | - |
| 系列 | - | - | - | - |
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) | - | 80V | -80V | 250mV@100mA,10mA |
| 额定功率 | - | 225mW | - | 250mW |
| 特征频率(fT) | - | 50MHz | 50MHz | 50MHz |
| 印字代码 | - | 2GM | - | - |
| 集电极-基极电压(VCBO) | - | 80V | - | - |
| 集电极电流 Ic | - | 500mA | 500mA | 500mA |
| 极性 | - | PNP | - | - |
| 品牌 | - | ON | - | - |
| 原产国家 | - | America | - | - |
| 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO | - | - | -80V | - |
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