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BSC065N06LS5ATMA1 与
HV010M050B055R 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+105℃ | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 包装 | Tape/reel | Tape/Reel | ||
| 栅极电荷(Qg) | 13nC | - | ||
| 封装/外壳 | TDFN-8 | SMD,D4xL5.5mm | ||
| 晶体管类型 | N沟道 | - | ||
| Vgs(Max) | ±20V | - | ||
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - | ||
| 阈值电压 | 2.3V | - | ||
| 连续漏极电流 | 64A | - | ||
| 输入电容 | 1.8nF | - | ||
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | ||
| 额定功率 | 46W | - | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6.5mΩ@32A,10V | - | ||
| 类型 | 1个N沟道 | - | ||
| 零件状态 | Active | Active | ||
| 极性 | N-沟道 | - | ||
| 原始制造商 | Infineon Technologies AG | Capxon International Electronic co.ltd. | ||
| 品牌 | Infineon | CapXon | ||
| 系列 | OptiMOS™ | HV | ||
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | ||
| 功率耗散 | 46W | - | ||
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5,10V | - | ||
| 长x宽/尺寸 | - | Ф4.00 x 5.50mm | ||
| 应用领域 | - | Industrial | ||
| 容值 | - | 1µF | ||
| 精度 | - | ±20% | ||
| 额定电压 | - | 50V | ||
| 等级 | - | AEC-Q200 | ||
| 纹波电流 | - | 8.4mA | ||
| 特性 | - | Low ESR | ||
| 等效串联电阻 | - | - | ||
| 认证信息 | - | RoHS | ||
| 不同温度时的使用寿命 | - | 2000Hrs@105℃ | ||
| 高度 | - | 5.50mm | ||
| 耗散因数 | - | 0.14 | ||
| 存储温度 | - | -55℃~+105℃ | ||
| 引脚数 | - | 2Pin | ||
| 最小包装 | - | 2000pcs | ||
| 卷盘尺寸 | - | Φ380mm | ||
| 是否无铅 | - | Yes | ||
| 元件生命周期 | - | Active | ||
| 原产国家 | - | China Taiwan | ||
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